一种超快软恢复二极管模块的电极结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种超快软恢复二极管模块的电极结构，属于电力设备半导体器件技术领域。它解决了现有技术中焊接触点的不牢固，散热性和抗磁干扰能力不好的问题。本超快软恢复二极管模块的电极结构，超快软恢复二极管模块的电极结构设置在超快软恢复二极管模块中，超快软恢复二极管模块的电极结构包括若干个电极和连接部，电极与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接，若干个电极通过连接条与连接部连接。本结构具有结构紧凑，抗磁干扰性好，散热性强等优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电力设备半导体器件
，涉及一种超快软二极管的电极结构。
技术介绍
超快软恢复二极管模块是一种具有开关特性好，反向恢复时间短的半导体二极管，多用于大电流、大功率环境下的控制设备当中，传统的超快软恢复二极管模块，包括铜制底板和其内部四个二极管芯片，生产时将并接的电极连接线通过超声波进行硅铝丝焊接，其另一端通过硅铝丝连接作为引出电极，硅铝丝与二极管芯片焊接的触点是点接触式，但是这种连接方式容易产生电极焊接脱落，降低了芯片并接的可靠性，而且硅铝丝外层包裹着绝缘层，在大功率、大电流的工作环境下二极管模块的整体散热性不好；此外，硅铝丝之间的连接也不会保证硅铝丝间走线的平行，容易形成交叉电流，产生电磁干扰，影响超快 软恢复二极管模块高速工作的性能。
技术实现思路
本技术针对现有的技术存在上述问题，提出了一种超快软恢复二极管模块的电极结构，该超快软恢复二极管模块的电极结构能够提高焊接触点的牢固性，且散热性更好，抗磁干扰能力更强，更具实用性。本技术通过下列技术方案来实现一种超快软恢复二极管模块的电极结构，所述的超快软恢复二极管模块的电极结构设置在超快软恢复二极管模块中，其特征在于，所述的超快软恢复二极管模块的电极结构包括若干个电极和连接部，所述的电极与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接，所述的若干个电极通过连接条与连接部连接。电极跟二极管芯片焊接，通过连接条将各二极管芯片连通，通过连接部引出，相对于传统用的连接方法，本超快软恢复二极管模块的电极结构焊接更方便，且结构更紧凑。在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的若干个电极以连接部为轴两两对称，且电极与连接部连接的连接条长度相等。便于定位，电极焊接更为方便。在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的连接条上设有用于减少焊接时电极产生的应力的弯曲部。焊接时温度较高，由于热胀冷缩的原因，电极会产生应力，造成焊接不牢固，而弯曲部能够有效承受电极产生的应力，提高了焊接的可靠性。在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的电极为正方形结构且形状小于超快软恢复二极管模块中的二极管芯片。正方形结构便于焊接且焊接牢靠。在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的电极与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片接触的外圈粘帖有绝缘层。防止短路，提高设备的可靠性。在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的电极为四个，且两两平行与连接部构成H型结构。形成H型结构减少了交叉电流的通过，降低了电磁干扰，满足超快软恢复二极管模块器件的高速工作需求在上述的超快软恢复二极管模块的电极结构中，所述的电极、连接条和连接部通过冲压一体成型。冲压一体成型，更紧凑。与现有技术相比，本超快软恢复二极管模块的电极结构具有以下优点1、电极、连接条和连接部通过冲压一体成型结构更加紧凑，降低装配工艺；2、电极间两两平行与连接部构成H型，使得本结构散热性更好；3、连接条上设有弯曲部，使得电极焊接更加牢靠。附图说明图I是本技术的结构示意图。图中，I、电极；2、连接条；3、弯曲部；4、连接部。具体实施方式以下是本技术的具体实施例并结合附图，对本技术的技术方案作进一步的描述，但本技术并不限于这些实施例。如图I所示，一种超快软恢复二极管模块的电极I结构，超快软恢复二极管模块的电极I结构设置在超快软恢复二极管模块中，超快软恢复二极管模块的电极I结构包括若干个电极I和连接部4，电极I与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接，若干个电极I通过连接条2与连接部4连接，若干个电极I以连接部4为轴两两对称，且电极I与连接部4连接的连接条2长度相等，连接条2上设有用于减少焊接时电极I产生的应力的弯曲部3，电极I为正方形结构且形状小于超快软恢复二极管模块中的二极管芯片，电极I与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片接触的外圈粘帖有绝缘层，电极I为四个，且两两平行与连接部4构成H型结构，电极I、连接条2和连接部4通过冲压一体成型。在本超快软恢复二极管模块的电极I结构中的四个两辆平行的电极I焊接时，由于焊接温度过高，导致连接条2与电极I热胀，而焊接完成后，温度降低冷缩使得电极I产生一应力，造成焊接不牢靠，而连接条2上设置的弯曲部3，当冷缩时，应力作用在弯曲部3上，保障了电极I的焊接牢固性；电极I与连接部4构成了 H型结构，H型结构下表面与底板间留有间隙可双面进行散热，提高了本结构的散热性，四个电极I平行整体连接的焊接点减少了交叉电流的通过，降低了电磁干扰，满足超快软恢复二极管模块器件的高速工作需求。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本技术精神作举例说明。本技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本技术的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。尽管本文较多地使用了电极I、连接条2、弯曲部3、连接部4等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本技术的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本技术精神相违背的。权利要求1.一种超快软恢复二极管模块的电极结构，所述的超快软恢复二极管模块的电极结构设置在超快软恢复二极管模块中，其特征在于，所述的超快软恢复二极管模块的电极(I)结构包括若干个电极(I)和连接部(4)，所述的电极(I)与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接，所述的若干个电极(I)通过连接条(2)与连接部(4)连接。2.根据权利要求I所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的若干个电极⑴以连接部⑷为轴两两对称，且电极⑴与连接部⑷连接的连接条⑵长度相等。3.根据权利要求2所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的连接条(2)上设有用于减少焊接时电极(I)产生的应力的弯曲部(3)。4.根据权利要求I或2或3所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的电极(I)为正方形结构且形状小于超快软恢复二极管模块中的二极管芯片。5.根据权利要求4所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的电极(I)与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片接触的外圈粘帖有绝缘层。6.根据权利要求4所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的电极(I)为四个，且两两平行与连接部(4)构成H型结构。7.根据权利要求6所述的超快软恢复二极管模块的电极结构，其特征在于，所述的电极(I)、连接条(2)和连接部(4)通过冲压一体成型。专利摘要本技术提供了一种超快软恢复二极管模块的电极结构，属于电力设备半导体器件
它解决了现有技术中焊接触点的不牢固，散热性和抗磁干扰能力不好的问题。本超快软恢复二极管模块的电极结构，超快软恢复二极管模块的电极结构设置在超快软恢复二极管模块中，超快软恢复二极管模块的电极结构包括若干个电极和连接部，电极与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接，若干个电极通过连接条与连接部连接。本结构具有结构紧凑，抗磁干扰性好，散热性强等优点。文档编号H01L23/367GK202712166SQ20122027332公开日2013年1月30日 申请日期2012年6月11日 优先权日2012年6月11日专利技术者董建平, 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超快软恢复二极管模块的电极结构，所述的超快软恢复二极管模块的电极结构设置在超快软恢复二极管模块中，其特征在于，所述的超快软恢复二极管模块的电极(1)结构包括若干个电极(1)和连接部(4)，所述的电极(1)与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接，所述的若干个电极(1)通过连接条(2)与连接部(4)连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董建平，梁思平，管功湖，
申请(专利权)人：临海市志鼎电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：