【技术实现步骤摘要】
本技术属于电力设备半导体器件
，涉及一种超快软二极管的电极结构。
技术介绍
超快软恢复二极管模块是一种具有开关特性好，反向恢复时间短的半导体二极管，多用于大电流、大功率环境下的控制设备当中，传统的超快软恢复二极管模块，包括铜制底板和其内部四个二极管芯片，生产时将并接的电极连接线通过超声波进行硅铝丝焊接，其另一端通过硅铝丝连接作为引出电极，硅铝丝与二极管芯片焊接的触点是点接触式，但是这种连接方式容易产生电极焊接脱落，降低了芯片并接的可靠性，而且硅铝丝外层包裹着绝缘层，在大功率、大电流的工作环境下二极管模块的整体散热性不好；此外，硅铝丝之间的连接也不会保证硅铝丝间走线的平行，容易形成交叉电流，产生电磁干扰，影响超快 软恢复二极管模块高速工作的性能。
技术实现思路
本技术针对现有的技术存在上述问题，提出了一种超快软恢复二极管模块的电极结构，该超快软恢复二极管模块的电极结构能够提高焊接触点的牢固性，且散热性更好，抗磁干扰能力更强，更具实用性。本技术通过下列技术方案来实现一种超快软恢复二极管模块的电极结构，所述的超快软恢复二极管模块的电极结构设置在超快软恢复二极管模块中...
【技术保护点】
一种超快软恢复二极管模块的电极结构，所述的超快软恢复二极管模块的电极结构设置在超快软恢复二极管模块中，其特征在于，所述的超快软恢复二极管模块的电极(1)结构包括若干个电极(1)和连接部(4)，所述的电极(1)与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接，所述的若干个电极(1)通过连接条(2)与连接部(4)连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董建平，梁思平，管功湖，
申请(专利权)人：临海市志鼎电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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