采用孤岛拓扑结构的高密度氮化镓器件制造技术

本发明专利技术公开一种氮化镓（GaN）系列器件-晶体管和二极管，比前述GaN器件具有更高的单位面积电流处理能力。这一改进要归因于改进的布局拓扑结构。该器件还包括更简单、但性能更佳的倒装芯片连接系统和可减小热阻的装置。本发明专利技术还公开了一种简化的制造工艺，展示了使用孤岛电极替代指状电极的布局方案以将有源区密度增至传统交指结构的两倍或五倍。可使用孤岛拓扑结构来构造超低导通晶体管和损失较低的二极管。具体而言，本发明专利技术提供了一种提高横向GaN结构性价比的装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种氮化镓半导体-晶体管和二极管，尤其涉及一种可提供大电流承受能力的功率器件。
技术介绍
众所周知，氮化镓功率半导体器件的特性特别适用于功率应用。大多数的拟议结构为顶部设有功率电极和控制电极的横向导电器件。电极正下面是铝镓氮(AlGaN)和氮化铝(GaN)的异质结，自发极化和压电极化在异质界面产生电荷，从而得到IXlO13cnT2或更大的载流子面密度，而不会有意增加杂质。因此，大电流密度异质结场效应晶体管可通过使用异质界面处产生的二维电子气(2DEG)来实现。因此人们一直都致力于广泛研究开发氮化物半导体基功率晶体管，目前已在需要200V或更高的击穿电压的场效应中应用了导通硅基金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)十分之一或更小的电阻、或导通绝缘栅双极晶体管(IGBT)三分之一或更小的电阻(例如，参见W. Saitoetal.，“ IEEE电子器件汇刊”第50卷，第12章，第2528页)。氮化物半导体器件有源区的尺寸可做得比硅基半导体器件小。因此，人们一直也期望能缩小氮化物半导体器件的尺寸。传统的氮化物半导体器件有源区的尺寸可缩小至大约为硅基半导体器件有源区的尺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·罗伯茨，阿哈默德·米桑，格文·帕特森，格雷格·克洛维克，
申请(专利权)人：GAN系统公司，
类型：
国别省市：