【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及具有密封环的半导体裸片,且更具体地说,涉及机械上连续但电学上不连续的密封环。
技术介绍
图I是用于半导体裸片110的常规密封环100的说明,其以自上而下视图和横截面视图两者展示。密封环100环绕半导体裸片Iio的周边且有助于将半导体裸片110与湿气和污染隔离并阻止切割期间造成的裂纹。密封环100建置在硅衬底101上且包含接触件102、通孔104和106以及金属区段103、105和107。半导体裸片110包含多种组件,例如数字逻辑电路111、模拟块112和射频(RF)块113、114。一些常规数字逻辑电路(例如,电路111)经受突然的电流尖脉冲,这些尖脉冲引 起噪声,而一些常规模拟块和RF块(例如,块112到114)可能对噪声敏感。一些常规密封环(未图示)在裸片的周边周围为电学上连续的,且裸片周边周围的直接电路径可将五到十分贝的噪声传送到敏感的模拟和RF块,这是不合需要的。一种用以防止噪声传送的常规解决方案在图I的自上而下视图中展示。具体地说,密封环100为电学上不连续的,进而抑制显著部分的噪声传送。图I的自上而下视图中展示的解决方案可有效消除 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴维·邦,托马斯·安德鲁·迈尔斯,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:
国别省市:
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