用于集成电路的电学上断开但机械上连续的裸片密封件制造技术

一种半导体裸片具有布置在所述半导体裸片的周边周围的多个不连续导电区段，以及在所述导电区段之间的不连续部分内的电绝缘屏障。所述导电区段和所述屏障形成所述半导体裸片周围的机械上连续的密封环。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及具有密封环的半导体裸片，且更具体地说，涉及机械上连续但电学上不连续的密封环。
技术介绍
图I是用于半导体裸片110的常规密封环100的说明，其以自上而下视图和横截面视图两者展示。密封环100环绕半导体裸片Iio的周边且有助于将半导体裸片110与湿气和污染隔离并阻止切割期间造成的裂纹。密封环100建置在硅衬底101上且包含接触件102、通孔104和106以及金属区段103、105和107。半导体裸片110包含多种组件，例如数字逻辑电路111、模拟块112和射频(RF)块113、114。一些常规数字逻辑电路(例如，电路111)经受突然的电流尖脉冲，这些尖脉冲引 起噪声，而一些常规模拟块和RF块(例如，块112到114)可能对噪声敏感。一些常规密封环(未图示)在裸片的周边周围为电学上连续的，且裸片周边周围的直接电路径可将五到十分贝的噪声传送到敏感的模拟和RF块，这是不合需要的。一种用以防止噪声传送的常规解决方案在图I的自上而下视图中展示。具体地说，密封环100为电学上不连续的，进而抑制显著部分的噪声传送。图I的自上而下视图中展示的解决方案可有效消除一些噪声，但密封环100的不连续性允许半导体裸片110被有害的湿气和其它污染物穿透。当前，不存在减少上文描述的噪声现象同时还防止半导体裸片110被湿气和污染物穿透的可用解决方案。
技术实现思路
一种半导体裸片包括布置在所述半导体裸片的周边周围的多个不连续导电区段，以及在所述导电区段之间的不连续部分内的电绝缘屏障。所述导电区段和所述屏障形成所述半导体裸片周围的机械上连续的密封环。一种用于制造半导体裸片的方法包括制造在半导体裸片的周边周围具有导电密封环的半导体裸片。所述导电密封环具有多个不连续部分和所述不连续部分内的电介质材料。所述方法进一步包含移除所述不连续部分内的至少一些电介质材料以在不连续部分内形成间隙，以及在所述间隙内沉积绝缘材料以在半导体裸片的周边周围形成机械上连续的密封环。—种半导体裸片包括用于密封半导体裸片的周边的第一装置。所述第一密封装置为不连续且导电的。半导体裸片进一步包括用于密封半导体裸片的周边的第二装置。第二密封装置为绝缘的且位于第一密封装置的不连续部分内。第一和第二密封装置在半导体裸片周围形成机械上连续的密封环。前述内容已相当广泛地概述了本专利技术的特征和技术优点，以便可更好地理解以下具体实施方式。下文将描述形成本专利技术的权利要求书的主题的额外特征和优点。所属领域的技术人员应了解，所揭示的概念和特定实施例可容易地用作用于修改或设计用于实行本专利技术的相同目的的其它结构的基础。所属领域的技术人员还应认识到，此类等效构造并不脱离在所附权利要求书中所阐述的本专利技术的技术。当结合附图进行考虑时，将从以下描述更好地理解据信为本专利技术的特性的新颖特征(均关于其组织和操作方法)连同另外的目标和优点。然而，应明确地理解，仅出于说明和描述的目的而提供各图中的每一者，且其不希望作为对本专利技术的限制的界定。附图说明为了更完整地理解本专利技术，现结合附图参考以下描述。图1是以俯视图和横截面视图两者展示的用于半导体裸片的常规密封环的说明。图2展示其中可有利地采用本专利技术的实施例的示范性无线通信系统。图3是根据本专利技术的一个实施例改动的示范性密封环的说明。图4A是根据本专利技术的一个实施例改动的示范性过程的说明。图4B是根据本专利技术的一个实施例改动的在图4A的框401的动作期间的示范性密封环的俯视图说明。图4C是根据本专利技术的一个实施例改动的在图4A的框402的动作期间的示范性密封环的俯视图说明。图4D是根据本专利技术的一个实施例改动的在图4A的框402的动作期间的示范性密封环的俯视图说明。图4E是根据本专利技术的一个实施例改动的在图4A的框403的动作期间的示范性密封环的俯视图说明。具体实施例方式图2展示其中可有利地采用本专利技术的实施例的示范性无线通信系统200。出于说明的目的，图2展示三个远程单元220、230和240以及两个基站250、260。将认识到，无线通信系统可具有更多远程单元和基站。远程单元220、230和240分别包含改进的半导体芯片封装225A、225B和225C，其使用根据下文更详细论述的实施例的具有密封环的半导体裸片。虽然图2未展示，但应理解，根据下文论述的实施例的具有密封环的半导体裸片也可包含在基站250、260中。图2展示从基站250、260到远程单元220、230和240的前向链路信号280以及从远程单元220、230和240到基站250、260的反向链路信号290。在图2中，远程单元220展示为移动电话，远程单元230展示为便携式计算机，且远程单元240展示为无线本地回路系统中的计算机。举例来说，远程单元220可包含移动装置，例如蜂窝式电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元(例如，个人数据助理)。远程单元220还可包含例如仪表读取设备等固定位置数据单元。尽管图2说明根据本专利技术的教示的远程单元，但本专利技术不限于这些示范性的所说明的单元。本专利技术可适当用于包含半导体芯片封装的任何装置中。图3是根据本专利技术的一个实施例改动的示范性密封环300的说明。密封环300为机械上连续但电学上不连续的。具体地说，密封环300包含不连续的导电区段301到304，且所述导电区段之间是由绝缘区段305到308组成的电绝缘屏障。密封环300的电学上不连续性质减少密封环300周围的噪声传播，进而改善上文关于图I描述的噪声现象。在此实例中，电绝缘屏障还大体上是湿气不可渗透的。即，电绝缘屏障在半导体裸片110的正常使用期间可能有理由预期会遭遇的情形中对湿气进行防护。另外，电绝缘屏障还大体上是例如钠离子等多种污染物不可渗透的。绝缘区段305到308可包含多种材料中的任一者，例如氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、聚酰亚胺等。图3所示的导电区段301到304和绝缘屏障的配置仅为一个实例，且实施例可包含例如图4E所示的其它配置。图4A是根据本专利技术的一个实施例改动的示范性过程400的说明。过程400可例如在半导体裸片的制造期间以及在芯片封装的制造和芯片封装的安装期间执行。在框401中，制造在半导体裸片的周边周围具有导电密封环的半导体裸片，所述导电密封环中具有多个不连续部分且所述不连续部分内具有电介质材料。所述半导体裸片和导电密封环可使用常规裸片制造方法或稍后开发的方法来制造。在一个实例中，导电密封环包含多个金属层和通孔，但实施例可在导电密封环中包含多种结构中的任一者。可在导电密封环中使用的金属的实例包含铝、铜、钨等。电介质材料的实例包含二氧化硅、氟化硅酸盐玻璃等。框401中的动作的实例在图4B中展示。 在框402中，移除不连续部分内的至少一些电介质材料以在不连续部分内形成间隙。举例来说，一些实施例包含在裸片上安置暴露电介质材料的区域的掩模，以及蚀刻电介质材料的暴露区域。框402中的动作的实例在图4C和4D中展示。在框403中，在间隙内沉积绝缘材料以在半导体裸片的周边周围形成机械上连续的密封环。举例来说，可执行一个或一个以上沉积过程以在间隙内沉积绝缘体(例如，氮化硅)。密封环的实例在图3中展示，其中绝缘材料作为部分306沉积在导电区段301与302之间。框403中的动作的实例在图4E中展本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴维·邦，托马斯·安德鲁·迈尔斯，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：
国别省市：