半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体元件，形成在半导体衬底上；第一金属环，环绕半导体元件；绝缘膜，形成为覆盖半导体元件，并在其中布置有第一金属环；以及凹槽，形成在绝缘膜中，其中，通过以如下方式叠置多个金属层来形成第一金属环，所述方式即，使得多个金属层的各自的外侧侧面彼此齐平，或者使得放置在下方金属层上方的多个金属层的每一个的外侧侧面比该下方金属层的外侧侧面放置得更加靠近内侧；以及该凹槽具有第一底部，该第一底部被布置在第一金属环的内侧，并延伸至第一金属环的最上层金属层的上表面的深度。

【技术实现步骤摘要】

本文讨论的实施例涉及ー种。
技术介绍
在半导体晶圆(wafer)上沿划片线区域(scribe line area)形成许多半导体芯片。沿划片线区域锯切半导体晶圆，以将其分成単独的半导体芯片。如果锯切时在划片线区域产生的裂纹扩展到半导体芯片中，则半导体芯片会损坏。通常而言，半导体芯片沿其边缘形成有防潮环。提出这样的技术，其中在防潮环的外侧还形成抑制裂纹扩展到半导体芯片中的金属环(例如，參见JP 2008-270720A)。对于抑制裂纹扩展的金属环，期望的是，进ー步增强抑制裂纹扩展效果的技木。
技术实现思路
本专利技术的目的是要提供一种，该半导体器件具有能够抑制裂纹扩展的新颖结构。根据本专利技术的ー个方案，一种半导体器件包括半导体衬底；半导体元件，形成在半导体衬底上；第一金属环，环绕半导体元件；绝缘膜，形成为覆盖半导体元件，并在其中布置有第一金属环；以及凹槽，形成在绝缘膜中，其中，通过以如下方式叠置多个金属层来形成第一金属环，所述方式即，使得多个金属层的各自的外侧侧面(lateral face)彼此齐平，或者使得放置在下方金属层上方的多个金属层的每ー个的外侧侧面比该下方金属层的外侧侧面放本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体元件，形成在所述半导体衬底上；第一金属环，环绕所述半导体元件；绝缘膜，形成为覆盖所述半导体元件，并且其中布置有所述第一金属环；以及凹槽，形成在所述绝缘膜中；其中：所述第一金属环是通过以如下方式叠置多个金属层而形成的，所述方式即，使得所述多个金属层的各自的外侧侧面彼此齐平，或者使得放置在下方金属层上方的所述多个金属层的每一个的外侧侧面比所述下方金属层的外侧侧面放置得更加靠近内侧；以及所述凹槽具有第一底部，所述第一底部被布置在所述第一金属环的内侧，并延伸至所述第一金属环的最上层金属层的上表面的深度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉泽和隆，江间泰示，
申请(专利权)人：富士通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：