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本发明提供了用于提供后钝化开口和接触下金属化层的系统和方法。实施例包括穿过后钝化层的开口，该开口具有第一尺寸和第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸，其中，第一尺寸垂直于芯片的热膨胀系数失配方向进行对准。通过以这种方式成型和对准穿过后钝化层的开口，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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