晶体管及其制造方法和降低RTS噪声的图像传感器电路技术

本发明专利技术涉及晶体管及其制造方法，以及降低随机电报信号(RTS)噪声的图像传感器电路。在一个实施例中，一种晶体管包括：设置工件中两个隔离区域之间的沟道。该沟道具有邻近隔离区域的边缘区域和在隔离区域之间的中心区域。该晶体管包括设置在沟道上方的栅极电介质，以及设置在该栅极电介质上方的栅极。该晶体管包括邻近所述边缘区域的电压阈值更改部件，该电压阈值更改部件被配置为使得沟道的邻近边缘区域的电压阈值大于沟道的中心区域的晶体管的电压阈值。本发明专利技术还提供了一种晶体管及其制造方法和降低RTS噪声的图像传感器电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种晶体管及其制造方法和降低RTS噪声的图像传感器电路。
技术介绍
半导体器件被广泛应用于，例如，各种电子器件应用(诸如，个人电脑，手机，数码相机和其他电子设备)中。半导体工业不断通过持续最小部件尺寸来改进各种电子部件部件(例如，晶体管，二极管，电阻器，电容器等)的集成密度，从而将更多的部件集成到指定区域中。晶体管是在半导体器件中广泛使用的部件。例如，单个集成电路(IC)上可能具有数百万个晶体管。在半导体器件的制造中使用的通用型晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。在早期MOSFET工艺中，使用一类掺杂物来产生正沟道晶体管或负沟道晶体管。最新的设计指的是互补MOS (CMOS)器件，以互补配置使用正沟道器件和负沟道器件。尽管需要更多的制造步骤和更多的晶体管，但是，CMOS器件仍具有优势，这是因为它们耗电少，并且可以制造得更小、更快。一类可以使用CMOS工艺制造的器件是CMOS图像传感器(CIS)。CMOS图像传感器面临的一个问题是像素源极跟随晶体管中具有大量随机电报信号(RTS)噪声，从而降低了图像传感器的灵敏度。R本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管，包括：沟道，设置在工件中的两个隔离区域之间，所述沟道包括邻近所述隔离区域的边缘区域和位于所述边缘区域之间的中心区域；栅极电介质，设置在所述沟道上方；栅极，设置在所述栅极电介质上方；以及电压阈值更改部件，邻近所述边缘区域，被配置为使得所述沟道的邻近所述边缘区域的电压阈值大于所述沟道的所述中心区域的所述晶体管的电压阈值。

【技术特征摘要】
2011.09.30 US 13/250,8561.一种晶体管，包括 沟道，设置在工件中的两个隔离区域之间，所述沟道包括邻近所述隔离区域的边缘区域和位于所述边缘区域之间的中心区域； 栅极电介质，设置在所述沟道上方； 栅极，设置在所述栅极电介质上方；以及 电压阈值更改部件，邻近所述边缘区域，被配置为使得所述沟道的邻近所述边缘区域的电压阈值大于所述沟道的所述中心区域的所述晶体管的电压阈值。2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，施加到所述晶体管的电压所产生的经过所述沟道的所述中心区域的电流量大于所述沟道的所述边缘区域中的电流量。3.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述电压阈值更改部件形成在所述隔离区域中，并且其中，每个所述隔离区域均包括位于所述工件中沟槽、设置在所述沟槽的侧壁和底面上的注入区域、以及设置在所述沟道内的所述注入区域上方的绝缘材料。4.一种制造晶体管的方法，包括 提供工件； 将所述工件图案化，从而在所述工件中形成两个隔离区域； 在所述隔离区域之间的所述工件上方形成栅极电介质； 在所述栅极电介质上方形成栅极；以及 在邻近所述隔离区域的位置上形成电压阈值更改部件。5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述电压阈值更改部件包括将所述工件图案化以形...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪丰基，施俊吉，伍寿国，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：