【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
在半导体技术中，围绕如何实现全耗尽型器件的整体构思，研发的重心转向立体型器件结构。立体型器件结构是在绝缘体上半导体(SOI)上形成半导体鳍片(用于形成沟道)，在半导体鳍片的中间形成沟道区、在半导体鳍片的侧壁形成栅极以及在半导体鳍片的两端形成源/漏区。当前，立体型器件结构已出现双鳍结构，S卩，在SOI上形成两个平行的半导体鳍片，并将两个平行的半导体鳍片作为鳍形沟道形成两个独立的半导体器件，其中，两个半导体鳍片的相互背离的侧壁上形成有各自的栅极，而两个半导体鳍片相互对应的侧壁是暴露出来的，因此，希望可以对两个半导体鳍片所暴露出来的侧壁进行工艺处理，以提高半导体器件的性能。
技术实现思路
本专利技术提供了一种半导体结构及其制作方法，通过在两个半导体鳍片相互对应的侧壁形成倒掺杂阱结构，可 以有效地减小源/漏耗尽层的宽度，从而降低短沟道效应。根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，该方法包括a)提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层、以及在该绝缘层上形成半导体基底；b)在所述半导体基底上形成牺牲层、以...
【技术保护点】
一种半导体结构的制作方法，该方法包括：a)提供半导体衬底(100)，在所述半导体衬底(100)上形成绝缘层(101)、以及在该绝缘层(101)上形成半导体基底(102)；b)在所述半导体基底(102)上形成牺牲层(200)、以及环绕所述牺牲层(200)的侧墙(201)，并以该所述侧墙(201)为掩膜刻蚀所述半导体基底(102)，形成半导体基体(103)；c)在所述半导体基体(103)的侧壁上形成介质膜(300)；d)去除所述牺牲层(200)、以及位于所述牺牲层(200)下方的所述半导体基体(103)，形成第一半导体鳍片(210)和第二半导体鳍片(220)；e)在所述第一半导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，该方法包括 a)提供半导体衬底(100)，在所述半导体衬底(100)上形成绝缘层(101)、以及在该绝缘层(101)上形成半导体基底(102)； b)在所述半导体基底(102)上形成牺牲层(200)、以及环绕所述牺牲层(200)的侧墙(201)，并以该所述侧墙(201)为掩膜刻蚀所述半导体基底(102)，形成半导体基体(103)； c)在所述半导体基体(103)的侧壁上形成介质膜(300)； d)去除所述牺牲层(200)、以及位于所述牺牲层(200)下方的所述半导体基体(103)，形成第一半导体鳍片(210)和第二半导体鳍片(220)； e)在所述第一半导体鳍片(210)和第二半导体鳍片(220)相对应的侧壁上形成倒掺杂阱结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述步骤e)包括 在所述第一半导体鳍片(210)和第二半导体鳍片(220)相对应的侧壁上通过选择性生长形成外延层(310)，其中，该外延层(310)的掺杂浓度高于所述第一半导体鳍片(210)和第二半导体鳍片(220)的掺杂浓度。3.根据权利要求2所述的制作方法，其中 所述外延层(310)的掺杂浓度范围为5X1018-5X1019CnT3。4.根据权利要求2所述的制作方法，其中 所述外延层(310)的厚度范围为10nm-20nm。5.根据权利要求1或2所述的制作方法，其中，所述步骤c)包括 对所述半导体基体(103)进行热氧化操作从而形成氧化膜作为所述介质膜(300)。6.根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述介质膜(300)的厚度范围为7nm-10nm。7.根据权利要求1或2所述的制作方法，其中，所述步骤d)包括 以所述侧墙(201)为掩膜刻蚀所述牺牲层(200);以及 以所述侧墙(201)为掩膜、以所述绝缘层(101)为刻蚀停止层刻蚀所述半导体基体(103)，在所述侧墙(201)下方形成所述第一半导体鳍片(210)和第二半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，朱慧珑，骆志炯，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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