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本发明提供了一种半导体结构的制作方法，该方法的步骤包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层、以及在该绝缘层上形成半导体基底；在所述半导体基底上形成牺牲层、以及环绕所述牺牲层的侧墙，并以该所述侧墙为掩膜刻蚀所述半导体基底，形成半导体...该专利属于中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。