金属氧化物半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种金属氧化物半导体元件及其制造方法，其中半导体元件包括额外的注入区，这些注入区位于元件的源极与漏极区中，用以改进元件特定导通电阻(Ron-sp)与崩溃电压(BVD)的特性。元件包括栅极电极，栅极电极形成于通道区之上，在元件衬底中通道区是分离第一与第二注入区。第一注入区具有第一导电型，第二注入区具有第二导电型。源极扩散区形成于第一注入区中，漏极扩散区形成于第二注入区中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体技术，且特别是有关于一种金属氧化物半导体(MetalOxide Semiconductor, M0S)元件与制造该金属氧化物半导体元件的方法。
技术介绍
金属氧化物半导体元件，例如是晶体管及相似结构的存储单元一般已知具有如图1所绘示的构造。在图1中所绘示的金属氧化物半导体元件为N型金属氧化物半导体元件，称作NMOS元件100。NMOS元件100形成于半导体衬底102上，半导体衬底102例如是硅晶圆。P阱区(P-well) 104形成于衬底102上，视为NMOS元件的本体及有源区。P阱区104可通过熟知的注入工艺形成，例如是硼(B)离子的注入，作为P型杂质。NMOS元件100包括扩散区106及108，扩散区106及108可分别作为源极与漏极。NMOS元件100包括栅极结构，栅极结构包括栅极氧化层110及多晶硅栅极112。栅极氧化层110 —般透过热氧化工艺形成于衬底102的上表面，接着透过沉积工艺沉积多晶硅为栅极112。栅极氧化层110与栅极112可接着透过图案化氧化层与多晶硅层而形成，例如是使用光刻工艺。在某些实施例中，栅极结构可在扩散区106及108之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，包括：一第一导电型的一阱(well)，该阱形成于一衬底中；一栅极电极，形成于该阱之上；一第一注入区，形成于该阱中且自该栅极电极下方延伸，该第一注入区具有该第一导电型；一第二注入区，形成于该阱中且自该栅极电极下方延伸，该第二注入区具有一第二导电型，该第二注入区透过该栅极电极下的一通道区与该第一注入区分离；一源极扩散区，形成于该第一注入区中，该源极扩散区具有该第二导电型；以及一漏极扩散区，形成于该第二注入区中，该漏极扩散区具有该第二导电型，且相较于该第二注入区具有一较高的掺杂浓度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括 一第一导电型的ー阱(well)，该阱形成于ー衬底中； ー栅极电极，形成于该阱之上； 一第一注入区，形成于该阱中且自该栅极电极下方延伸，该第一注入区具有该第一导电型； 一第二注入区，形成于该阱中且自该栅极电极下方延伸，该第二注入区具有一第二导电型，该第二注入区透过该栅极电极下的一通道区与该第一注入区分离； 一源极扩散区，形成于该第一注入区中，该源极扩散区具有该第二导电型；以及一漏极扩散区，形成于该第二注入区中，该漏极扩散区具有该第二导电型，且相较于该第二注入区具有一较高的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的半导体元件，更包括一第三注入区，该第三注入区介于该源极扩散区与该第一注入区之间。3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中该第三注入区具有与该源极扩散区相同的该第二导电型。4.根据权利要求3所述的半导体元件，其中该第三注入区相较于该源极扩散区具有一较低的掺杂浓度。5.根据权利要求1所述的半导体元件，更包括一第四注入区，该第四注入区介于该漏极扩散区与该第二注入...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建铨，李明东，连士进，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：