一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括半导体层以及位于该半导体层之上的绝缘层；第一半导体鳍片和第二半导体鳍片，并行地位于所述衬底之上；第一源/漏区和第二源/漏区，该第一源/漏区位于与所述第一半导体鳍片的两端相连接的第一源/漏结构中，该第二源/漏区位于与所述第二半导体鳍片的两端相连接第二源/漏结构中；第一栅堆叠和第二栅堆叠，分别位于所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片相背离的外侧侧壁上；其中，在所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间存在介电层。本发明专利技术形成了两个独立的半导体器件，便于施加不同的源/漏电压进行控制。相应地，本发明专利技术还提供了一种半导体结构的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
在现有技术中，双鳍型场效应晶体管的结构通常如下在半导体衬底上具有突出的两个半导体鳍片(用于制作沟道)，在该两个半导体鳍片的两端共同接有ー对源/漏区，在两个半导体鳍片相背离的外侧侧壁上分別形成各自的栅极。尽管双鳍型场效应晶体管具有两个半导体鳍片，而且每个半导体鳍片上具有各自的栅极，但是由于两个半导体鳍片共用同一对源/漏区，所以在对双鳍型场效应晶体管进行控制的过程中，仍然无法将其看作是两个独立的半导体器件，因此，希望在双鳍型场效应晶体管中可以形成两个真正独立 的半导体器件，便于灵活地对其分别进行控制。此外，双鳍型场效应晶体管的栅极位于两个半导体鳍片相背离的外侧侧壁上，而两个半导体鳍片之间的区域被暴露出来，所以，希望可以对两个半导体鳍片之间的区域进行处理，以进ー步提高双鳍型场效应晶体管的性能。
技术实现思路
本专利技术提供了，可以形成两个独立的半导体器件，以及通过在该两个独立的半导体器件之间形成应カ介电层以向沟道施加应力，从而提高半导体器件的性能。根据本专利技术的ー个方面，提供了一种半导体结构的制造方法，该方法的步骤包括a)提供衬底，在该衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，该半导体结构包括：衬底，包括半导体层(100)以及位于该半导体层(100)之上的绝缘层(200)；第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)，并行地位于所述衬底之上；第一源/漏区和第二源/漏区，该第一源/漏区位于与所述第一半导体鳍片(310)的两端相连接的第一源/漏结构(311、312)中，该第二源/漏区位于与所述第二半导体鳍片(320)的两端相连接第二源/漏结构(321、322)中；第一栅堆叠和第二栅堆叠，分别位于所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)相背离的外侧侧壁上；其中，在所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)之间存在介电层(60...

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，该半导体结构包括衬底，包括半导体层(100)以及位于该半导体层(100)之上的绝缘层(200)；第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)，并行地位于所述衬底之上；第一源/漏区和第二源/漏区，该第一源/漏区位于与所述第一半导体鳍片(310)的两端相连接的第一源/漏结构(311、312)中，该第二源/漏区位于与所述第二半导体鳍片 (320)的两端相连接第二源/漏结构(321、322)中；第一栅堆叠和第二栅堆叠，分别位于所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片 (320)相背离的外侧侧壁上；其中，在所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)之间存在介电层￠00)。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述介电层(600)具有应力。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述介电层￠00)的材料包括压缩性氮化物或拉伸性氮化物中的一种。4.一种半导体结构的制造方法，该方法的步骤包括a)提供衬底，在该衬底上形成并行的第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)， 以及用于形成源/漏区的第一源/漏结构(311、312)和第二源/漏结构(321、322)，其中， 所述第一源/漏结构(311、312)和第二源/漏结构(321、322)分别与所述第一半导体鳍片 (310)和第二半导体鳍片(320)的两端相连接；b)在位于所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)相背离的外侧侧壁上分别形成第一栅堆叠和第二栅堆叠，以及在所述第一源/漏结构(311、312)和第二源/漏结构(321、322)中分别形成第一源/漏区和第二源/漏区；c)在所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)之间形成介电层￠00)。5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述介电层(600)具有应力。6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述步骤c)包括沉积绝缘材料覆盖所述半导体结构；进行平坦化处理至所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)的顶部露出； 在所述绝缘材料上形成掩膜，暴露所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片 (320)之间的绝缘材料；去除所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)之间的绝缘材料从而形成凹槽；在所述凹槽内填充具有应力的介电材料；以及平坦化所述介电材料直至所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)的上表面露出，形成应力介电层￠00)。7.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述步骤c)包括沉积具有应力的介电材料覆盖所述半导体结构；平坦化所述介电材料直至所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)的上表面露出，形成应力介电层￠00)。8.根据权利要求5至7之一所述的制造方法，其中所述介电层￠00)的材料包括压缩性氮化物或拉伸性氮化物中的一种。9.根据权利要求4至7之一所述的制造方法，其中，所述步骤a)包括提供SOI衬底，该SOI衬底包括第一半导体层(100)、位于该第一半导体层(100)之上的绝缘层(200)、以及位于该绝缘层(200)之上的第二半导体层(300)；在所述第二半导体层(300)上形成图案化的掩膜(400)，该掩膜(400)包括并行的两个半导体鳍片图案、以及分别与每个半导体鳍片两端相连接的源/漏区图案；以及去除所述第二半导体层(300)上未被所述掩膜(400)覆盖的区域，形成并行的第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)，以及分别与所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)两端相连接的第一源/漏结构(311、312)和第二源/漏结构(321、322)。10.根据权利要求4至7之一所述的制造方法，其中，所述在位于所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片相背离的外侧侧壁上分别形成第一栅堆叠和第二栅堆叠的步骤包括依次沉积栅介质材料和栅极材料覆盖所述半导体结构；平坦化所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，尹海洲，骆志炯，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：