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本发明公开了一种金属氧化物半导体元件及其制造方法，其中半导体元件包括额外的注入区，这些注入区位于元件的源极与漏极区中，用以改进元件特定导通电阻(Ron-sp)与崩溃电压(BVD)的特性。元件包括栅极电极，栅极电极形成于通道区之上，在元件衬底...
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