FinFET器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。示例性的半导体器件包括：衬底，该沉底包括设置在衬底上方的鳍结构。该鳍结构包括一个或多个鳍。半导体器件进一步包括设置在衬底上方的绝缘材料。半导体器件进一步包括设置在部分鳍结构以及部分绝缘材料上方的栅极结构。该栅极结构横贯鳍结构中的每个鳍。半导体器件进一步包括由具有连续的并且不间断的表面区域的材料所形成的源极部件和漏极部件。该源极部件和漏极部件包括位于平面中的表面，该表面与位于绝缘材料、鳍结构的一个或多个鳍中的每个鳍以及栅极结构的平行平面中的表面直接接触。本发明专利技术还提供了FinFET器件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了迅速的发展。在IC的发展过程中，通常增大了功能密度(即，每个芯片区域的互连器件的数量)，而减小了几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小部件(或线))。这种按比例缩小的工艺的优点在于提高了生产效率并且降低了相关费用。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，IC的制造也需要类似的发展。例如，在寻求更高的器件密度、更高的性能以及更低的费用的过程中，随着半导体工艺发展到纳米技术工艺节点，制造和设计中的挑战导致鳍状的场效应晶体管(FinFET)器件的发展。尽管现有的FinFET器件以及制造FinFET器件的方法已大体上满足了其预期目的，但并不是在所有方面都能够完全令人满意。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体器件，包括衬底，包括设置在所述衬底上方的鳍结构，其中，所述鳍结构包括一个或多个鳍；绝缘材料，设置在所述衬底上方；栅极结构，设置在所述鳍结构的部分以及所述绝缘材料的部分上方，其中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底，包括设置在所述衬底上方的鳍结构，其中，所述鳍结构包括一个或多个鳍；绝缘材料，设置在所述衬底上方；栅极结构，设置在所述鳍结构的部分以及所述绝缘材料的部分上方，其中，所述栅极结构横贯所述鳍结构中的每个鳍；以及源极部件和漏极部件，由具有连续的并且不间断的表面区域的材料形成，其中，所述源极部件和所述漏极部件包括位于平面中的表面，所述表面与位于所述绝缘材料、所述鳍结构的一个或多个鳍中的每个鳍以及所述栅极结构的平行平面中的表面直接接触。

【技术特征摘要】
2011.10.04 US 13/252,8921.一种半导体器件,包括 衬底，包括设置在所述衬底上方的鳍结构，其中，所述鳍结构包括一个或多个鳍； 绝缘材料，设置在所述衬底上方； 栅极结构，设置在所述鳍结构的部分以及所述绝缘材料的部分上方，其中，所述栅极结构横贯所述鳍结构中的每个鳍；以及 源极部件和漏极部件，由具有连续的并且不间断的表面区域的材料形成，其中，所述源极部件和所述漏极部件包括位于平面中的表面，所述表面与位于所述绝缘材料、所述鳍结构的ー个或多个鳍中的每个鳍以及所述栅极结构的平行平面中的表面直接接触。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底选自由体硅和绝缘体上硅(SOI)所构成的组。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极结构包括栅极介电层；栅电极，设置在所述栅极介电层上方；以及栅极隔离件，设置在所述栅电极的侧壁上方。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是P型金属氧化物半导体(PMOS)鳍状场效应晶体管(FinFET)器件或N型金属氧化物半导体(NMOS) FinFET器件之一，并且其中，在集成电路器件中包括所述半导体器件。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘材料包括具有高度(h2)的表面，在所述表面上方没有设置所述绝缘材料；以及具有高度(h3)的表面，在所述表面上方设置有所述绝缘材料，所述高度h2大于所述高度h3。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极部件和所述漏极部件包括高度(hi)，所述高度大于紧邻着所述源极部件和所述漏极部件并且与所述源极部件和所述漏极部件直接接触的所述绝缘材料的高度(h2)。7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述源极部件和所述漏极部件与所述衬底、所述绝缘材料、所述栅极隔离件以及所述鳍结构的每个鳍直接接触。8.一种半导体器件，包括 衬底； 鳍结构，所述鳍结构包括一个或多个设置在所述衬底上方的鳍，所述鳍结构包括位于第一公共面中的第一表面和...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘继文，王昭雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：