本发明公开一种金属-氧化物-金属电容器，其包括第一电极、第二电极、多个第一指状物和多个第二指状物。每个第一指状物和与其相应的第二指状物互相平行并且通过低k电介质材料分隔开。采用保护环包围金属-氧化物-金属电容器以防止潮湿渗透进低k电介质...

一种半导体装置，包括：具有成型鳍和规则鳍的鳍式场效晶体管(FinFET)。成型鳍的顶部可以小于、大于、薄于、或短于规则鳍的顶部。成型鳍的底部和规则鳍的底部相同。FinFET可以具有仅一个或多个成型鳍、一个或多个规则鳍、或成型鳍和规则鳍的...

公开了半导体器件以及制造半导体器件的方法，涉及FinFET器件及其制造方法。示例性半导体器件包括衬底，其包括设置在衬底上方的鳍结构，鳍结构包括一个或多个鳍。半导体器件还包括介电层，设置在鳍结构的中心部分上，并横跨一个或多个鳍的每一个。半...

本发明公开了一种半导体结构。半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上，并且该第二III-V族化合物层在组成上与第一III-V族化合物层不同。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和...

一种NVM器件包括具有第一区和第二区的半导体衬底。NVM器件包括形成在第一区内并被设计成可通过操作保留电荷的数据存储部件。NVM器件包括形成在第二区内并与数据存储结构耦合以用于数据操作的电容器。数据存储结构包括位于半导体衬底中的第一类型...

本发明公开的一个实施例是包括衬底，第一管芯和第二管芯的结构。该衬底具有第一表面。第一管芯通过多个第一电连接器连接于衬底的第一表面。第二管芯通过多个第二电连接器连接于衬底的第一表面。第二电连接器中之一的尺寸小于第一电连接器中之一的尺寸。本...

本发明包括一种器件，该器件包括层间电介质、位于该层间电介质下方的器件管芯、以及位于该层间电介质下方并且位于该器件管芯上方的管芯接合膜，其中，管芯接合膜与器件管芯相接合。多个再分布线的一部分与管芯接合膜相齐平。多个Z互连件与器件管芯和多个...

本发明涉及半导体器件。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上方的电容器；设置在衬底上方并具有包围电容器的线圈部件的电感器；以及在衬底上方并配置成围绕线圈部件的屏蔽结构。本发明还提供了垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。

公开了去嵌入装置和去嵌入的方法。去嵌入装置包括：测试结构，包括嵌入测试结构的待测器件(DUT)；以及多个伪测试结构，包括开路伪结构、分布式开路伪结构和短路伪结构。分布式开路伪结构可以包括连接至左信号测试焊盘的第一信号传输线和连接至右信号...

一种插件包括：位于插件第一面上的第一表面和位于插件第二面上的第二表面，其中第一面和第二面是相对面；设置在第一表面的第一探针焊盘；设置在第一表面的电连接件，其中该电连接件被配置用于接合；设置在插件中的通孔；设置在插件的第一面上的前面连接件...

本发明公开了一种封装件，该封装件包括印刷电路板(PCB)以及通过焊球接合到PCB的管芯。可再造的底部填充物被分配在该PCB和该管芯之间的区域内中。本发明还提供了一种具有可再造底部填充物的晶圆级芯片尺寸封装件。

本发明涉及的是一种结构的实施例。该结构包括衬底、芯片、以及强化部件。该衬底具有第一面，并且该第一面包括凹陷部。该芯片位于衬底的第一面上方并且与该第一面相接合。强化部件位于衬底的第一面的第一区域上方。该第一区域不位于芯片下方。强化部件的一...

一种半导体器件包括：依次形成在半导体衬底上的钝化层、第一保护层、互连层、以及第二保护层。互连层具有暴露部分，在该暴露部分上形成有阻挡层和焊料凸块。钝化层、第一保护层、互连层和第二保护层中的至少一层包括形成在导电焊盘区域之外的区域中的至少...

本发明公开了一种半导体结构，半导体结构包括：外延区域、栅极结构、接触隔离件、和蚀刻停止层。外延区域位于衬底中。外延区域的顶面高于衬底的顶面，并且外延区域具有在衬底的顶面和外延区域的顶面之间的小平面。栅极结构位于衬底上方。接触隔离件横向位...

本发明公开了半导体器件的封装方法及其结构。在一个实施例中，一种封装半导体器件的方法包括提供载具晶圆；提供多个管芯；以及在载具晶圆的上方形成管芯凹槽材料。在该管芯凹槽材料中形成了多个管芯凹槽。将多个管芯中的至少一个放置在管芯凹槽材料的多个...

提供了用于诸如DRAM存储单元的电子器件的嵌入式晶体管及其制造方法。沟槽形成在衬底中，并且栅极介电层和栅电极形成在衬底的沟槽中，源极区域/漏极区域形成在沟槽的相对侧上的衬底中。在实施例中，源极区域/漏极区域中的一个连接至存储节点，源极区...

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成第一III-V族层。第一III-V族层包括具有第一表面形态的表面。该方法包括穿过表面对第一III-V族层实施离子注入工艺。离子注入工艺将第一表面形态改变为第二表面形态。在实施...

本发明公开了一种用于制造半导体器件的系统和方法。一个实施例包括采用原子层沉积(ALD)工艺形成沉积层。ALD工艺可以利用第一前体并持续第一时间周期；第一清除并持续比第一时间周期更长的第二时间周期；第二前体并持续比第一时间周期更长的第三时...

用于测试集成电路管芯的探针卡划分方法包括：提供具有第一数量的区别部分的第一探针卡划分布局。每个区别部分都使用用于测试的区别探针卡。第一探针卡划分布局被再划分为具有第二数量的区别部分的第二探针卡划分布局。第二数量小于第一数量。本发明还提供...

本发明涉及了一种用于数字模拟转换器的可编程增益控制器(PGC)，该可编程增益控制器与提供电流源的输入节点以及多个用于数字增益控制的受控开关相连接，该电流源根据输入信号水平(例如，时间采样的音频数据)变化。每个开关都被配置为选择性将由电源...