沉积材料及形成方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制造半导体器件的系统和方法。一个实施例包括采用原子层沉积(ALD)工艺形成沉积层。ALD工艺可以利用第一前体并持续第一时间周期；第一清除并持续比第一时间周期更长的第二时间周期；第二前体并持续比第一时间周期更长的第三时间周期；以及第二清除并持续比第三时间周期更长的第四时间周期。本发明专利技术还公开了沉积材料及形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及。
技术介绍
介电材料已被用于半导体制造领域中以实现多种目的。它们能够被用于将ー个区与另ー个区电隔离。另外，可以采用被选择的用于介电材料的具体材料来帮助微调半导体芯片内的电磁场，从而可以获得多种部件。在一个实例中，可以通过制造被电容器介电材料分开的第一电容器电极和第二电容器电极来形成电容器。当施加电流时，这种电容器介电材料允许第一电容器电极和第二电容器电极容纳电荷。这允许被采用的电容器临时存储所需电荷。然而，随着半导体器件变得越来越小，可能出现关于介电层的问题。具体来说，当半导体制造从40nmエ艺节点急速冲过28nmエ艺节点时，当前的形成这些介电层的方法对被要求满足当今竞争环境中期望的性能和制造规范的任务是完全不够的。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的ー个方面，提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括向沉积腔室引入第一前体并持续第一时间；在引入所述第一前体之后，向所述沉积腔室引入第一清除气体并持续第二时间，其中所述第二时间大于所述第一时间；在引入所述第一清除气体之后，向所述沉积腔室引入第二前体并持续第三本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：向沉积腔室引入第一前体并持续第一时间；在引入所述第一前体之后，向所述沉积腔室引入第一清除气体并持续第二时间，其中所述第二时间大于所述第一时间；在引入所述第一清除气体之后，向所述沉积腔室引入第二前体并持续第三时间，其中所述第三时间大于或等于所述第一时间；以及在引入所述第二前体之后向所述沉积腔室引入第二清除气体并持续第四时间。

【技术特征摘要】
2011.10.17 US 13/275,0211.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括 向沉积腔室引入第一前体并持续第一时间； 在引入所述第一前体之后，向所述沉积腔室引入第一清除气体并持续第二时间，其中所述第二时间大于所述第一时间； 在引入所述第一清除气体之后，向所述沉积腔室引入第二前体并持续第三时间，其中所述第三时间大于或等于所述第一时间；以及 在引入所述第二前体之后向所述沉积腔室引入第二清除气体并持续第四时间。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第四时间大于所述第三时间。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二时间和所述第四时间的第一总和大于所述第一时间和所述第三时间的第二总和。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二前体含有氧。5.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括 执行第一循环以形成介电材料的第一单层，所述第一循环包括 使衬底的表面与第一前体反应并持续第一时间周期以形成第一前体表面； 从所述第一前体表面清除所述第一前体并持续第二时间，其中，所述第二时间周期大于所述第一时间周期； 用第二前体氧化所述第一前体表面以形成所述介电材料的所述第一单层，氧化所述第一前体表面持续第三时间周期，其中，所述第三时间周期大于或等于所述第一时间周期；以及 从所述介电材料的所述第一单层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耀文，蔡正原，林杏莲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：