钝化后互连结构制造技术

一种半导体器件包括：依次形成在半导体衬底上的钝化层、第一保护层、互连层、以及第二保护层。互连层具有暴露部分，在该暴露部分上形成有阻挡层和焊料凸块。钝化层、第一保护层、互连层和第二保护层中的至少一层包括形成在导电焊盘区域之外的区域中的至少一个槽状件。本发明专利技术提供了钝化后互连结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，更具体而言，涉及钝化后互连结构。
技术介绍
现代集成电路由数百万个诸如晶体管和电容器的有源器件构成。这些器件最初彼此隔离，但是随后互连在一起以形成功能电路。典型的互连结构包括诸如金属线(引线)的横向互连件以及诸如通孔开口和接触件的纵向互连件。互连件对现代集成电路的性能限制和密度的决定作用日益增强。在互连结构的顶部上，在相应芯片的表面上形成并且暴露出接合焊盘。通过接合焊盘形成电连接，从而将芯片连接至封装衬底或者另一管芯。接合焊盘可以用于引线接合或者倒装芯片接合。倒装芯片封装利用凸块在芯片的I/O焊盘和封装件的衬底或者引线框架之间建立电接触。在结构上，凸块实际上包含凸块本身以及位于该凸块和I/o焊盘之间的“凸块下金属化层”(UBM)。如今，晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)以其低廉的成本和相对简单的工艺而得到广泛应用。在典型的WLCSP中，在钝化层上形成诸如再分布线(RDL)的钝化后互连(PPI)线，然后形成聚合物膜和凸块。然而，据专利技术人所知的PPI形成工艺具有聚合物膜剥离问题，这可能会导致PPI结构中的界面不牢固，并且可能会在器件中造成故障
技术实现思路
一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域，其中，所述第一区域是导电焊盘区域，以及所述第二区域邻近所述第一区域；钝化层，位于所述半导体衬底上面；第一保护层，位于所述钝化层上面；互连层，位于所述第一保护层上面；第二保护层，位于所述互连层上面并且包括开口，所述开口暴露出所述互连层的一部分；阻挡层，形成在所述互连层的暴露部分上；以及焊料凸块，形成在所述阻挡层上，其中，所述钝化层、所述第一保护层、所述互连层、和所述第二保护层中的至少一层包含形成在所述第二区域中的至少一个槽状件。

【技术特征摘要】
2011.10.13 US 13/272,5401.一种半导体器件,包括 半导体衬底，具有第一区域和第二区域，其中，所述第一区域是导电焊盘区域，以及所述第二区域邻近所述第一区域； 钝化层，位于所述半导体衬底上面； 第一保护层，位于所述钝化层上面； 互连层，位于所述第一保护层上面； 第二保护层，位于所述互连层上面并且包括开口，所述开口暴露出所述互连层的一部分； 阻挡层，形成在所述互连层的暴露部分上；以及 焊料凸块，形成在所述阻挡层上， 其中，所述钝化层、所述第一保护层、所述互连层、和所述第二保护层中的至少一层包含形成在所述第二区域中的至少一个槽状件。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层包含位于所述第二区域中的多个槽状件，并且所述第一保护层填充所述钝化层中的所述多个槽状件。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层包含镍(Ni)层、钯(Pd)层、或者金(Au)层中的至少一层。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述互连层包含铜。5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括导电焊盘，所述导电焊盘形成在所述第一区域中的所述半导体衬底上，其中，所述导电焊盘被所述钝化层和所述第一保护层部分地覆盖，并且所述导电焊盘与所述互连层电连接。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一保护层包含位于所述第二区域中的多个槽状件，并且所述互连层填充了所述第一保护层的所述多个槽状件。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁世纬，陈宪伟，陈英儒，于宗源，李明机，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：