用于去嵌入的方法和装置制造方法及图纸

公开了去嵌入装置和去嵌入的方法。去嵌入装置包括：测试结构，包括嵌入测试结构的待测器件(DUT)；以及多个伪测试结构，包括开路伪结构、分布式开路伪结构和短路伪结构。分布式开路伪结构可以包括连接至左信号测试焊盘的第一信号传输线和连接至右信号测试焊盘的第二信号传输线，第一和第二信号传输线具有比开路伪结构的信号传输线的总长短的总长，并且可以从伪测试结构和测试结构的传输参数中得到DUT的固有传输特性。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体来说涉及半导体器件，更具体地，涉及去嵌入的方法和装置。
技术介绍
形成在半导体衬底上的集成电路(IC)包括多个有源和无源器件，诸如电阻器、电感器、电容器、晶体管、放大器等。制造这种部件以设计限定部件将显示出的理想物理/电特性(例如，电阻、电感、电容、增益等)的规范。尽管期望验证所制造的每个部件符合其特点的设计规范，但通常在集成到电路中之后，不能容易地检测对应的部件。因此，在晶片上制造各个IC部件的“独立”复件、利用相同工艺并利用相同物理/电特性制造的作为IC部件的部件；并且假设针对“独立”复件测量的物理/电特性代表那些未测试的各个IC部件。在测试期间，“独立”复件(也被称为“待测器件”(DUT))电连接至导电和测试焊盘，它们又进一步连接至外部测试设备。尽管所测量的物理/电特性应该精确地表示DUT (和所代表的各个IC部件)的那些特性，但测试焊盘和导线贡献了已知为“寄生”的物理/电特性(例如，来自测试焊盘和导线的电阻、电容、和电感)，这对所测量的DUT的特性产生影响。通过已知为“去嵌入”的工艺提出或提取寄生，以揭示DUT的固有特性。因此，需要一种精确的去嵌入方法来消除寄生影本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：测试结构，包括嵌入所述测试结构的待测器件(DUT)；以及多个伪测试结构，包括开路伪结构、分布式开路伪结构、和短路伪结构，其中，所述分布式开路伪结构包括两个信号测试焊盘，在所述两个信号测试焊盘之间没有信号传输线，并且其中，所述DUT的固有传输特性能够从所述伪测试结构和所述测试结构的传输参数中得到。

【技术特征摘要】
2011.10.14 US 13/273,3341.ー种装置，包括 测试结构，包括嵌入所述测试结构的待测器件(DUT);以及 多个伪测试结构，包括开路伪结构、分布式开路伪结构、和短路伪结构， 其中，所述分布式开路伪结构包括两个信号测试焊盘，在所述两个信号测试焊盘之间没有信号传输线，并且 其中，所述DUT的固有传输特性能够从所述伪测试结构和所述测试结构的传输參数中得到。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述分布式开路伪结构包括平行延伸的多条接地线，每条接地线都设置在两个接地测试焊盘之间，并且信号测试焊盘和接地测试焊盘形成接地-信号-接地结构。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述分布式开路伪结构的多条接地线的每一条都包括多个通孔，所述多个通孔位于多个垂直堆叠的导电层之间。4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述开路伪结构和所述短路伪结构的每ー个都包括与设置在两个接地测试焊盘之间的接地线垂直延伸的多条次级接地线，以及其中，所述分布式开路伪结构不包括与所述两个接地测试焊盘之间的接地线垂直延伸的多条次级接地线。5.根据权利要求1所述的装置，还包括 第二分布式开路伪结构，包括连接至左信号测试焊盘的第一信号传输线和连接至右信号测试焊盘的第二信号传输线，所述第一信号传输线和所述第二信号传输线的总长比所述开路伪结构的对应信号传输线的总长短， 其中，所述DUT的固有传输特性能够从所述开路伪结构、所述分布式开路伪结构、所述第二分布式开路伪结构、和所述测试结构的传输參数中得到。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述测试结构的所述DUT通过第三信号传输线连接至左信号焊盘以及通过第四信号传输线连接至右信号焊盘。7.根据权利要求1所述的装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓秀英，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：