【技术实现步骤摘要】
芯片中模块的失效原因判定方法及晶圆结构
本专利技术涉及半导体芯片良率的监测方法,尤其是涉及ー种芯片中模块的失效原因的判定方法及应用于该判定方法中的晶圆结构。背景技木半导体芯片经过一系列的前段和后段エ艺处理完成后,还需进行用于筛选好坏芯片的良率测试。在新的芯片导入半导体エ艺生产线初期,经常会遇到新的芯片的良率很低的情况。由于在新的芯片导入初期,用于测试芯片良率的测试程序通常只能完成粗线条的芯片中模块的测试。这种粗线条的模块测试导致其后续的失效分析很难定位模块中失效的准确位置,因此很难对芯片的失效原因作出准确的判断。例如以逻辑芯片为例,逻辑芯片通常包含有SRAM (静态随机存储器)模块,而相应的良率测试程序仅对整个SRAM模块实现功能进行测试,因此当测试到SRAM失效时,无法定位是SRAM模块中哪ー个器件或多个器件的故障导致整个SRAM模块功能失效。因此,当芯片中模块被检测到失效,而又无法利用测试程序对模块中失效的位置进行定位时,其失效的原因也就无法通过后续的失效分析进行判定了。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种芯片中模块的失效原因的判定方法,可帮助实现芯片模块中 ...
【技术保护点】
芯片中模块的失效原因的判定方法,其特征在于,包括以下步骤:在所述芯片所在的晶圆上设置可定位性测试的测试模块,且所述测试模块包含的器件类型与所述芯片中模块包含的器件类型相同;对所述测试模块进行测试,以此定位所述测试模块的失效位置;判定测试模块的失效位置的失效原因得出所述芯片中模块的失效原因。
【技术特征摘要】
1.芯片中模块的失效原因的判定方法,其特征在于,包括以下步骤 在所述芯片所在的晶圆上设置可定位性测试的测试模块,且所述测试模块包含的器件类型与所述芯片中模块包含的器件类型相同; 对所述测试模块进行测试,以此定位所述测试模块的失效位置; 判定测试模块的失效位置的失效原因得出所述芯片中模块的失效原因。2.根据权利要求1所述的芯片中模块的失效原因的判定方法,其特征在于,将所述测试模块设于所述晶圆的切割道以外的位置。3.根据权利要求2所述的芯片中模块的失效原因的判定方法,其特征在于,在所述芯片所在的晶圆上设置若干组芯片框,在所述芯片框内设置所述芯片和对应的测试模块。4.根据权利要求1所述的芯片中模块的失效原因的判定方法,其特征在于,所述测试模块与所述芯片中模...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵志勇,杨兆宇,谢宝强,许宗能,
申请(专利权)人:无锡华润上华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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