薄金属层光刻对准标记的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄金属层光刻对准标记的制作方法，该方法在垫积薄金属层前，还包括以下步骤：1)在衬底介质层上，与要制作的光刻对准标记相对应的位置处，涂布光刻胶作为阻挡层，曝光，刻蚀；2)用与薄金属层的材质不同的金属或合金填充步骤1)刻蚀掉的区域；3)化学机械研磨填充区域表面，使其低于所述介质层。该方法通过改变薄金属层光刻对准标记的衬底结构，改善了薄金属层光刻对准标记的高低差和明暗对比度，从而实现了后层与薄金属层的直接对准，提高了前后层的对准精度，保证了产品的设计性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
在半导体制造工艺中，光刻对准精度是制约更小尺寸工艺的关键因素之一。由于版图设计的前后层关联性，在后道工序中，通常会采用后层直接对前层的光刻对准标记的办法，以提升前后层的对准精度，保证产品的性能。在一些特殊的工艺平台中，会在后道工序中弓丨入薄金属层以连接上下介质层。例如，在嵌入式闪存(Embedded Flash)的工艺平台中引入 的自对准工艺，其关键步骤就是氧化层和金属层对准工艺，如图1所示，其中，金属层工艺使用的是900埃左右的氮化钛(TiN)。由于这类金属层非常薄(厚度一般小于2000埃)，导致在刻蚀后形成的光刻对准标记的台阶高低差非常小，与周围氧化硅层的明暗对比度较差。而根据尼康光刻机台的正常设定，光刻对准标记的台阶高低差以不小于5000埃为佳；在接近3000埃时可以通过开启相移功能来增强信号；当高低差小于2000埃甚至更低时，光刻对准标记产生的信号(如图2红点所指示的信号)过弱，机台将无法对其进行准确的分析和读取。因此，薄金属层的下一层在对准时，无法采用直接对准的方法。为了实现下一层的光刻对准，目前通常采用间接对准的本文档来自技高网...

【技术保护点】
薄金属层光刻对准标记的制作方法，其特征在于，在垫积薄金属层前，包括以下步骤：1)在衬底介质层上，与要制作的光刻对准标记相对应的位置处，涂布光刻胶作为阻挡层，曝光，刻蚀；2)用与薄金属层的材质不同的金属或合金填充步骤1)刻蚀掉的区域；3)化学机械研磨填充区域表面，使其低于所述介质层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：童宇锋，李伟峰，陈福成，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：