【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种。
技术介绍
对于某些功率元件，如RC-1GBT (Reverse-Conductor IGBT，反向互联IGBT)，需要在硅片正面和背面同时形成器件结构，因此需要在硅片的两面都形成图形，且需要实现正面和背面图形的对准。现有工艺方法，用于背面图形的对准的对准标记形成于硅片的正面，在硅片的正面工艺完成后，将硅片反转过来，并进行硅片的背面工艺，在进行背面工艺时是利用形成于硅片正面的对准标记来实现正面和背面图形的对准。由于形成的背面图形和对准标记不在同一个平面内，不能再采用形成正面图形时的光刻设备和工艺，而需要使用特殊的光刻设备和工艺，即背面对准工艺。进行背面对准工艺时，由于此时正面即对准标记朝下，而背面朝上，因此需要使用特殊的对准方法。按所使用的对准光源分，现有常用的方法有两种，一种为红外，一种为可见光。按照其对准的方式分，现有常用的方法也可分为两种，即反射和透射两种，现有工艺中的所有的的对准方式均为以上两种的组合。当使用红外光进行对准时，由于其物理特性决定，红外的反射和透射都对材料有严格要求，如硅片厚度，...
【技术保护点】
一种硅片的背面图形化的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一硅片，在所述硅片的正面完成所有正面图形化工艺，所述正面图形化工艺包括器件正面部分的形成工艺以及器件正面互联工艺；步骤二、在完成所有所述正面图形化工艺的所述硅片的正面沉积保护层；步骤三、形成所述保护层后，采用光刻刻蚀工艺在所述硅片正面形成深沟槽，所述深沟槽穿过所述保护层进入到所述硅片的本体中，所述深沟槽在所述硅片的本体中的深度大于器件所需的硅片厚度，所述器件所需的硅片厚度为所述器件正面部分加上后续形成的器件背面部分的厚度；所述深沟槽定义出背面图形的对准标记；步骤四、将所述硅片反转，用所述硅片的正面和一载片...
【技术特征摘要】
1.一种硅片的背面图形化的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤 步骤一、提供一硅片，在所述硅片的正面完成所有正面图形化工艺，所述正面图形化工艺包括器件正面部分的形成工艺以及器件正面互联工艺； 步骤二、在完成所有所述正面图形化工艺的所述硅片的正面沉积保护层； 步骤三、形成所述保护层后，采用光刻刻蚀工艺在所述硅片正面形成深沟槽，所述深沟槽穿过所述保护层进入到所述硅片的本体中，所述深沟槽在所述硅片的本体中的深度大于器件所需的硅片厚度，所述器件所需的硅片厚度为所述器件正面部分加上后续形成的器件背面部分的厚度；所述深沟槽定义出背面图形的对准标记； 步骤四、将所述硅片反转，用所述硅片的正面和一载片进行键合，键合后，使所述硅片的背面向上； 步骤五、对所述硅片的背面进行研磨，研磨后所述硅片的本体的厚度为所述器件所需的硅片厚度，所述对准标记从研磨后的所述硅片的背面露出； 步骤六、用所述对准标记进行对准，在所述硅片的背面进行背面图形化工艺，所述背面图形化工艺包括所述器件背面部分的形成工艺，所述器件背面部分和所述器件正面部分通过所述对准标记进行对准并组成完整的器件； 步骤七、进行解键合工艺将形成有完整的器件的所述硅片和所述载片解离。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于步骤四中所述载片的材质为玻璃，陶瓷，蓝宝石。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于步骤五中的所述研磨工艺采用Taiko研磨工艺，采用Taiko研磨工艺后，在所述硅片的边缘部分形成一厚度大于所述硅片中间区域的支撑环，所述硅片中间区域的本体的厚度为所述器件所需的硅片厚度。4.如权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，郭晓波，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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