一种硅片母合金的生产装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种硅片母合金的生产装置，包括：氯硅烷原料配料罐、氢气原料配料罐、金属杂质吸附柱、母合金掺杂剂储罐、反应炉，母合金掺杂剂储罐与氯硅烷原料配料罐的入口或氢气原料配料罐的入口连接，氯硅烷原料配料罐的出口与金属杂质吸附柱的入口连接，金属杂质吸附柱的出口与反应炉的入口连接，氢气原料配料罐的出口与反应炉的入口连接。该装置通过金属杂质吸附柱有效去除了制备过程中的金属杂质，使用本装置进行制备的过程就是在现有技术中的由氯硅烷通过还原反应制备多晶硅的生产过程中的反应原料氯硅烷中加入掺杂相应的第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种硅片母合金的生产装置
本技术属于硅片母合金生产领域，具体涉及一种硅片母合金的生产装置。
技术介绍
光伏用多晶硅、准(类)单晶硅在铸锭或拉制过程中需要对硅料进行电阻率补偿处理，使铸造多晶硅锭、准(类)单晶硅锭电阻率控制在0.5 Ω ^cm至6Ω -cm以适合制作光伏电池。在铸造过程中，一般使用低阻硼(磷)硅母合金作为掺杂剂对太阳能级原硅料进行掺杂，硼娃母合金掺杂剂电阻率一般控制在较低的目标电阻率。目前，硅片母合金主要通过在高纯原硅料中添加单质硼，使用单晶炉采用直拉法拉制掺杂剂娃棒，在保证娃料纯度的同时，使掺杂剂均匀的分散在娃棒中，从而降低原娃料电阻率，使拉制的娃棒符合掺杂剂的要求。现行硅片母合金制备方法均使用V、111族元素单质与硅料在石英坩埚拉制单晶或铸锭制的，在高温下，石英SiO2与Si反应生成SiO，由于熔融与石英坩埚接触面积较大，硅氧含量较高，氧可以与空位结合形成缺陷，也可以与空位、B结合形成缺陷，也可以团簇形成氧团簇，具有电学性能，还可以形成氧沉淀，引入诱生缺陷，影响硅片母合金品质。硅片母合金均使用V JII族元素单质与硅料在石英坩埚拉制单晶或铸锭制的，制备过程包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片母合金的生产装置，其特征在于，包括：氯硅烷原料配料罐、氢气原料配料罐、金属杂质吸附柱、母合金掺杂剂储罐、反应炉，所述母合金掺杂剂储罐与所述氯硅烷原料配料罐的入口或所述氢气原料配料罐的入口连接，所述氯硅烷原料配料罐的出口与所述金属杂质吸附柱的入口连接，所述金属杂质吸附柱的出口与所述反应炉的入口连接，所述氢气原料配料罐的出口与所述反应炉的入口连接。

【技术特征摘要】
1.一种硅片母合金的生产装置，其特征在于，包括:氯硅烷原料配料罐、氢气原料配料罐、金属杂质吸附柱、母合金掺杂剂储罐、反应炉， 所述母合金掺杂剂储罐与所述氯硅烷原料配料罐的入口或所述氢气原料配料罐的入口连接，所述氯硅烷原料配料罐的出口与所述金属杂质吸附柱的入口连接，所述金属杂质吸附柱的出口与所述反应炉的入口连接，所述氢气原料配料罐的出口与所述反应炉的入口连接。2.根据权利要求1所述的硅片母合金的生产装置，其特征在于，所述反应炉为多晶硅还原炉或外延生长炉。3.根据权利要求1所述的硅片母合金的生产装置，其特征在于，还包括氯硅烷进料控制器，所述氯硅烷进料控制器设置于所述金属杂质吸附柱的出口与所述反应炉的入口之间的管道上，在所述金属杂质吸附柱与所述反应炉的入口之间的管道上设置有第一阀门，在所述第一阀门与所述反应炉的入口之间的管道上设置有第一流量计，所述氯硅烷进料控制器分别与所述第一阀门、所述第一流量计电连接。4.根据权利要求1或3所述的硅片母合金的生产装置，其特征在于，还包括氢气进料控制器，所述氢气进料控制器设置于述氢气原料配料罐的出口与所述反应炉的入口之间的管道上，在所述氢气原料配料罐与所述反应炉的入口之间的管道上设置有第二阀门，在所述第二阀门与所述反应炉的入口之间的管道上设置有第二流量计，所述氢气进料控制器分别与所述第二阀门、所述第二流量计电连接。5.根据权利要求4所述的硅片母合金的生产装置，其特征在于，还包括第一控制器，所述氯硅烷进料控制器、所述氢气进料控制器分别与所述第一控制器电连接。6.根据权利要求5所述的硅片母合金的生产装置，其特征在于，还包括所述反应炉排出的尾气中的氯化氢的摩尔含量检测机构，该检测机构与所述反应炉的出口连接。7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕学谦，银波，郭增昌，范协诚，何隆，顾宗诊，
申请(专利权)人：新特能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：新疆;65