金属-氧化物-金属电容器结构制造技术

本发明专利技术公开一种金属-氧化物-金属电容器，其包括第一电极、第二电极、多个第一指状物和多个第二指状物。每个第一指状物和与其相应的第二指状物互相平行并且通过低k电介质材料分隔开。采用保护环包围金属-氧化物-金属电容器以防止潮湿渗透进低k电介质材料。本发明专利技术还提供了一种金属-氧化物-金属电容器结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及金属-氧化物-金属结构。
技术介绍
现代电子设备(例如，笔记本电脑)包括各种存储器，以存储信息。每个存储单元会需要至少一个电容器以保留信息。根据惯例，金属-氧化物-金属(MOM)电容器能够为集成电路(例如，存储电路)提供合适的电容。单层MOM电容器可包括第一金属板、第二金属板和沉积在第一金属板和第二金属板之间的绝缘层。单层MOM电容器的电容与金属板的面积和绝缘层的介电常数成比例。为了提供更大电容同时保持MOM电容器的较小管芯面积，MOM电容器可包括堆放在一起的多个层。多层MOM电容器可包括两个电极。每个电极与多个指状物连接，这些指状物中的每个指状物和连接到另一个电极的与该指状物相对应的指状物形成子电容器。在MOM电容器的一层上，通过各种相邻指状物形成各种子电容器。每层的总电容等于在该层上的子电容器的总和。而且，通过多个通孔插塞(via plug)将多层MOM电容器的电极与所有层连接在一起。因此，多层MOM电容器的总电容等于多层MOM电容器的所有层的电容的总和。由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器和电容器等等)的集成密度的改进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构包括：金属?氧化物?金属电容器，所述金属?氧化物?金属电容器包括低k电介质绝缘层；和保护环，所述保护环包围金属?氧化物?金属电容器，其中所述保护环配置成防止潮湿渗透进低k电介质绝缘层。

【技术特征摘要】
2011.10.14 US 13/274,1221.一种结构包括 金属-氧化物-金属电容器，所述金属-氧化物-金属电容器包括低k电介质绝缘层；和 保护环，所述保护环包围金属-氧化物-金属电容器，其中所述保护环配置成防止潮湿渗透进低k电介质绝缘层。2.根据权利要求1所述的结构，其中金属-氧化物-金属电容器包括 第一金属-氧化物-金属层，所述第一金属-氧化物-金属层包括 与第一指状物连接的第一电极； 与第二指状物连接的第二电极，其中所述第一指状物和所述第二指状物平行并且通过第一电介质材料分隔开。3.根据权利要求2所述的结构，所述结构进一步包括第二金属-氧化物-金属层，所述第二金属-氧化物-金属层包括 与第三指状物连接的第三电极； 与第四指状物连接的第四电极，其中所述第三指状物和第四指状物平行并且通过第二电介质材料分隔开。4.根据权利要求3所述的结构，其中所述第一电极通过多个通孔插塞与所述第三电极连接。5.根据权利要求3所述的结构，其中所述第二电极通过多个通孔插塞与所述第四电极连接。6.根据权利要求3所述的结构，其中 所述第一指状物的第一方向正交于所述第三指状物的第三方向；以及 所述第二指状物的第二方向正交于所述第四指状物的第四方向。7.根据权利要求1所述的结构，其中所述保护环包括 在第一金属-氧化物-金属层中的第一导电元件；以及 在第二金属-氧化物-金属层中的第二导电元件，其中所述第一导电元件通过在所述第一金属-氧化物-金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊杰，王琳松，林其谚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：