用于单栅极非易失性存储器的结构及方法技术

一种NVM器件包括具有第一区和第二区的半导体衬底。NVM器件包括形成在第一区内并被设计成可通过操作保留电荷的数据存储部件。NVM器件包括形成在第二区内并与数据存储结构耦合以用于数据操作的电容器。数据存储结构包括位于半导体衬底中的第一类型的第一掺杂阱。数据存储结构包括位于第一掺杂阱上的第一栅极介电部件。数据存储结构包括第一栅电极，被设置在第一栅极介电部件上并被配置为是浮置的。电容器包括第一类型的第二掺杂阱。电容器包括位于第二掺杂阱上的第二栅极介电部件。电容器还包括被设置在第二栅极介电部件上并与第一栅电极连接的第二栅电极。本发明专利技术还公开了用于单栅极非易失性存储器的结构及方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及用于具有电容器阱掺杂设计的单栅极非易失性存储器的结构及方法。
技术介绍
在深亚微米集成电路技术中，非易失性存储器器件由于具有各种优点已逐渐成为普及的存储单元。特别是，当关掉电源时，保存在非易失性存储器器件中的数据不会丢失。非易失性存储器器件的一个具体实例包括单浮置栅极以保留与所保存数据相关的电荷。当实施互补金属氧化物半导体场效应晶体管(CM0SFET)技术时，单浮置栅极NVM设计成包括位于P型阱中的场效应晶体管和位于n型阱中的电容器。然而，电容器具有低耦合效率，且占用了较大的电路面积，从而导致了大的存储器元件尺寸和低的元件-密度。因此，为了解决上述问题需要一种单栅极非易失性存储器器件结构及其制造方法。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种非易失性存储器(NVM)器件，包括半导体衬底，具有第一区和第二区，所述第二区接近所述第一区；数据存储结构，形成在所述第一区内并被设计成可通过操作保留电荷，其中所述数据存储结构包括具有第一类型掺杂剂的第一掺杂阱，被设置在所述半导体衬底中，第一栅极介电部件，被设置在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器(NVM)器件，包括：半导体衬底，具有第一区和第二区，所述第二区接近所述第一区；数据存储结构，形成在所述第一区内并被设计成可通过操作保留电荷，其中所述数据存储结构包括：具有第一类型掺杂剂的第一掺杂阱，被设置在所述半导体衬底中，第一栅极介电部件，被设置在所述第一掺杂阱上，以及第一栅电极，被设置在所述第一栅极介电部件上并被配置成是浮置的；以及电容器，形成在所述第二区内，并与所述数据存储结构耦合以用于数据操作，其中，所述电容器包括：具有第一类型掺杂剂的第二掺杂阱，被设置在所述半导体衬底中，第二栅极介电部件，被设置在所述第二掺杂阱上，以及第二栅电极，被设置在所述第二栅极介电部件上并连...

【技术特征摘要】
2011.10.14 US 13/273,5051.一种非易失性存储器(NVM)器件，包括 半导体衬底，具有第一区和第二区，所述第二区接近所述第一区； 数据存储结构，形成在所述第一区内并被设计成可通过操作保留电荷，其中所述数据存储结构包括 具有第一类型掺杂剂的第一掺杂阱，被设置在所述半导体衬底中， 第一栅极介电部件，被设置在所述第一掺杂阱上，以及第一栅电极，被设置在所述第一栅极介电部件上并被配置成是浮置的；以及电容器，形成在所述第二区内，并与所述数据存储结构耦合以用于数据操作，其中，所述电容器包括 具有第一类型掺杂剂的第二掺杂阱，被设置在所述半导体衬底中， 第二栅极介电部件，被设置在所述第二掺杂阱上，以及 第二栅电极，被设置在所述第二栅极介电部件上并连接至所述第一栅电极。2.根据权利要求1所述的NVM器件，其中，所述第一掺杂阱与所述第二掺杂阱通过隔离部件隔离。3.根据权利要求2所述的NVM器件，其中，所述隔离部件包括介电部件，所述介电部件形成在所述半导体衬底中井介于所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱之间。4.根据权利要求2所述的NVM器件，其中，所述隔离部件包括具有与所述第一类型掺杂剂相反的第二类型掺杂剂的掺杂部件，其中，所述掺杂部件形成在所述半导体衬底中，井介于所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱之间。5.一种非易失性存储器(NVM)器件，包括 半导体衬底，具有第一区和第二区，所述第二区接近所述第一区； 数据存储结构，形成在所述第一区内并被设计成可通过操作保留电荷；以及 电容器，形成在所述第二区内，并与所述数据存储结构耦合，其中，所述电容器包括 具有第一类型掺杂剂的第一掺杂阱，形成在所述半导体衬底中； 具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖大传，杨健国，徐英杰，陈世宪，郭良泰，柯钧耀，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：