OTP存储单元及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种OTP存储单元及其制作方法。该OTP存储单元，包括：半导体衬底；栅介质层；存储栅和控制栅；位于所述存储栅周围的将所述存储栅和控制栅隔开的侧墙隔离结构；包裹于所述存储栅和控制栅表面的绝缘保护层；位于所述控制栅一侧与所述半导体衬底接触的选通电极；以及位于所述半导体衬底内所述选通电极下方的掺杂阱区。该OTP存储单元，相对于传统的浮栅OTP而言，利用了薄栅介质层的击穿对器件电学特性的影响实现存储。其结构紧凑，原理简单，存储编程操作方便，并且该结构的制作方法与标准逻辑制程相兼容，工艺简单，可以极大的节省制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器的器件结构及相关制作工艺，尤其涉及一种一次可编程(0ΤΡ，one time programmable)存储器的存储单元结构及其制作方法,属于半导体器件制造领域。
技术介绍
目前比较流行的系统集成芯片或微处理芯片，都需要一个存储器来储存系统代码，由于逻辑和常规存储器的制作流程差异很大，比较传统的方式是在逻辑制程中引入只读存储器(ROM)。但是只读存储器的制作在晶圆流片的过程中就需要定义，一定程度上制约了系统编码的灵活性。针对只读存储器的这一缺点，可以通过电路板分别把逻辑芯片和存储器芯片封装在一起，这样的话系统代码可以通过存储器芯片内容的改变而改变。但是这样的方式因为需要两块或者以上的芯片，制造成本会相当的高，封装的成本也会很高，而且芯片的面积也很大，同时，由于信号需要通过电路板来传递，很容易受到杂讯干扰。一次可编程(OTP)存储器由于其成本较低且与逻辑制程相兼容，近年来得到了广泛的应用。通过在集成电路芯片中加入OTP存储器来替代传统的ROM只读存储器，可以极大地提高芯片系统代码的灵活性。亦即，当晶圆流片结束后，可以通过编码的形式将代码写入OTP存储器，这样可以针对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OTP存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅介质层；位于所述栅介质层上的存储栅和控制栅；位于所述存储栅周围的侧墙隔离结构，所述侧墙隔离结构将所述存储栅和控制栅隔开；包裹于所述存储栅和控制栅表面的绝缘保护层；位于所述控制栅一侧与所述半导体衬底接触的选通电极，所述选通电极与所述控制栅之间由绝缘保护层隔开；位于所述半导体衬底内所述选通电极下方的掺杂阱区。

【技术特征摘要】
1.一种OTP存储单元，其特征在于，包括 半导体衬底； 位于所述半导体衬底上的栅介质层； 位于所述栅介质层上的存储栅和控制栅； 位于所述存储栅周围的侧墙隔离结构，所述侧墙隔离结构将所述存储栅和控制栅隔开； 包裹于所述存储栅和控制栅表面的绝缘保护层； 位于所述控制栅一侧与所述半导体衬底接触的选通电极，所述选通电极与所述控制栅之间由绝缘保护层隔开； 位于所述半导体衬底内所述选通电极下方的掺杂阱区。2.根据权利要求1所述的OTP存储单元，其特征在于所述半导体衬底为单晶硅衬底。3.根据权利要求1所述的OTP存储单元，其特征在于所述栅介质层的材料为氧化硅或高介电常数材料。4.根据权利要求1所述的OTP存储单元，其特征在于所述存储栅和控制栅的材料均为多晶娃。5.根据权利要求1所述的OTP存储单元，其特征在于所述绝缘保护层的材料为氧化硅。6.一种OTP存储单元的制作方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤一、在半导体衬底上形成一层栅介质层，再在所述栅介质层上形成存储栅；并在所述存储栅周围形成侧墙隔离结构； 步骤二、在所述存储栅及侧墙隔离结构表面沉积第一绝缘层； 步骤三、在形成有所述存储栅及侧墙隔离结构的半导体衬底上沉积栅材料，然后去除多余的栅材料在所述存储栅的一侧形成控制栅，所述存储栅和控制栅被侧墙隔离结构隔开； 步骤四、在所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡建祥，许宗能，杜鹏，周玮，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：