The present invention relates to a system on chip overburnt write protection method and system on chip, wherein the method comprises receiving storage unit writing instruction; acquiring state information of all logical storage unit; according to the logic state information of all the storage units, determine the logic state of the memory cell of the memory cell firing write instructions corresponding to the logic state is 1; when the writing instruction storage unit corresponding to the storage unit is 1, control of the storage unit does not execute the corresponding operation instruction programming. The method provided by the embodiment of the invention implements write protection for each memory unit, effectively avoids the data safety caused by over burning writing, and meanwhile ensures the flexibility of use.
【技术实现步骤摘要】
片上系统芯片过烧写保护方法及片上系统芯片
本专利技术涉及过烧写保护
,尤其涉及一种片上系统芯片过烧写保护方法及片上系统芯片。
技术介绍
一次性可编程存储器的烧写原理是,MOS(MetalOxideSemiconductor,金属氧化物半导体场效应晶体管)管的栅极被施加烧写编程电压后,击穿晶体管的栅氧化层与衬底或漏极形成导通电路,从而由逻辑0状态转化为逻辑1状态,其中,逻辑0指存储单元的可读写状态,逻辑1指存储单元的不可写状态。但是,在实际芯片的测试中发现,如果长时间给晶体管栅极施加编程电压,栅极与衬底或漏极的导通电路断开,重新返回逻辑0状态,导致存储单元的信息丢失,极大降低存储单元的安全可靠性。为了防止一次性可编程存储器的过烧写导致的逻辑状态变化问题,为一次性可编程存储器的所有存储单元提供一个全局写保护位,所述写保护位即写保护程序。当一次性可编程存储器的所有存储单元均烧写完成后,全局写保护位生效,如果应用程序向其中的存储单元写入程序,此时,处理器调用写保护程序,并执行写保护程序对应的操作,阻止向存储单元内写入程序。但是,一次性可编程存储器包含多个存储单元,当其中一部分烧写完成,另一部分未烧写时,依然存在烧写完成的存储单元的晶体管栅极被施加编程电压,导致该存储单元的逻辑状态发生变化。并且,当全局写保护位生效后,一次性可编程存储器变为只读状态,导致其使用灵活性降低。
技术实现思路
为克服相关技术中存在的问题,本专利技术提供一种片上系统芯片过烧写保护方法及片上系统芯片。根据本专利技术实施例的第一方面,提供一种片上系统芯片,所述片上系统芯片包括一次性可编程存储器 ...
【技术保护点】
一种片上系统芯片,所述片上系统芯片包括一次性可编程存储器,所述一次性可编程存储器包括多个存储单元,其特征在于,包括:上电自动读取模块、OTP读写控制模块、写入模块、读取模块及多个与所述存储单元对应的写保护控制单元,其中:多个所述写保护控制单元分别与所述存储单元电连接;所述上电自动读取模块与多个所述写保护控制单元电连接,用于读取写保护控制单元对应的存储单元的逻辑状态信息;所述写入模块与读取模块的一端与所述存储单元电连接,另一端与所述上电自动读取模块电连接;所述OTP读写控制模块与所述上电自动读取模块电连接,用于控制写入模块和读取模块执行写入和读取操作。
【技术特征摘要】
1.一种片上系统芯片,所述片上系统芯片包括一次性可编程存储器,所述一次性可编程存储器包括多个存储单元,其特征在于,包括:上电自动读取模块、OTP读写控制模块、写入模块、读取模块及多个与所述存储单元对应的写保护控制单元,其中:多个所述写保护控制单元分别与所述存储单元电连接;所述上电自动读取模块与多个所述写保护控制单元电连接,用于读取写保护控制单元对应的存储单元的逻辑状态信息;所述写入模块与读取模块的一端与所述存储单元电连接,另一端与所述上电自动读取模块电连接;所述OTP读写控制模块与所述上电自动读取模块电连接,用于控制写入模块和读取模块执行写入和读取操作。2.根据权利要求1所述的片上系统芯片,其特征在于,所述写入模块包括导通开关,所述导通开关与所有所述存储单元电连接,并由不同的编程电压控制与对应的存储单元导通。3.根据权利要求1所述的片上系统芯片,其特征在于,所述读取模块包括导通开关,所述导通开关与所有所述存储单元电连接,并由...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡德才,朱健,余方桃,黄新军,何安,邓冏,袁涛,廖健,傅文海,
申请(专利权)人:湖南国科微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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