本实用新型专利技术公开了一种TTL芯片过压保护电路，包括熔断器FU、变压器T、三端稳压器U1、二极管D1和单向可控硅VS。本实用新型专利技术TTL芯片过压保护电路通过使用熔断器FU、单向可控硅VS和二极管D1配合，对过电压的反应非常迅速，很好的起到了对TTL芯片的过压保护作用，非常适合推广使用。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种保护电路，具体是一种TTL芯片过压保护电路。
技术介绍
随着社会的发展，集成电路已经深入工业的各个领域，而对于集成电路来说，主控芯片的安全性至关重要，而TTL芯片作为很多工程师喜爱使用的芯片，应用范围尤其广泛，然而TTL芯片对于电压的反应尤其激烈，给TTL芯片供电必须防止过电压，它可以非常迅速摧毁TTL芯片，任何常规的过压保护手段都无法有效保护TTL芯片。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种安全有效的TTL芯片过压保护电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:一种TTL芯片过压保护电路，包括熔断器FU、变压器T、三端稳压器U1、二极管Dl和单向可控硅VS，变压器T初级线圈两端连接220V交流电，变压器T次级线圈两端分别连接整流桥Q引脚I和整流桥Q引脚3，整流桥Q引脚2分别连接电阻Rl、电容Cl、电容C2和三端稳压器Ul引脚1，整流桥Q引脚4分别连接电阻Rl另一端、电容Cl另一端、电容C2另一端、三端稳压器Ul引脚2、电容C3、电容C4、电阻R2和单向可控硅VS的A极，电容C4另一端分别连接电阻R2另一端、二极管Dl正极和单向可控硅VS的G极，二极管Dl负极分别连接三端稳压器Ul引脚3、电容C3另一端和熔断器FU，熔断器FU另一端分别连接单向可控硅VS的K极和TTL芯片供电端。作为本技术进一步的方案:所述二极管Dl为稳压二极管。作为本技术再进一步的方案:所述单向可控硅VS型号为TL431。与现有技术相比，本技术的有益效果是:本技术TTL芯片过压保护电路通过使用熔断器FU、单向可控硅VS和二极管Dl配合，对过电压的反应非常迅速，很好的起到了对TTL芯片的过压保护作用，非常适合推广使用。【附图说明】图1为TTL芯片过压保护电路的电路图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。 请参阅图1，本技术实施例中，一种TTL芯片过压保护电路，包括熔断器FU、变压器T、三端稳压器U1、二极管Dl和单向可控硅VS，变压器T初级线圈两端连接220V交流电，变压器T次级线圈两端分别连接整流桥Q引脚I和整流桥Q引脚3，整流桥Q引脚2分别连接电阻Rl、电容Cl、电容C2和三端稳压器Ul引脚I，整流桥Q引脚4分别连接电阻Rl另一端、电容Cl另一端、电容C2另一端、三端稳压器Ul引脚2、电容C3、电容C4、电阻R2和单向可控硅VS的A极，电容C4另一端分别连接电阻R2另一端、二极管Dl正极和单向可控硅VS的G极，二极管Dl负极分别连接三端稳压器Ul引脚3、电容C3另一端和熔断器FU，熔断器FU另一端分别连接单向可控硅VS的K极和TTL芯片供电端。二极管Dl为稳压二极管。单向可控硅VS型号为TL431。本技术的工作原理是:请参阅图1，三端稳压器Ul的型号可通过TTL芯片的供电电压来确定，不同型号的TTL芯片配合不同的三端稳压器U1，当三端稳压器Ul引脚3的电压上升到高于TTL芯片的额定供电电压时，二极管Dl被击穿，触发单向可控硅VS导通，从而迅速短路迫使熔断器FU熔断，保护TTL芯片安全，电路中的电容C1~C4均用于抑制振荡，保证电路电压稳定。【主权项】1.一种TTL芯片过压保护电路，包括熔断器FU、变压器T、三端稳压器Ul、二极管Dl和单向可控硅VS，其特征在于，变压器T初级线圈两端连接220V交流电，变压器T次级线圈两端分别连接整流桥Q引脚I和整流桥Q引脚3，整流桥Q引脚2分别连接电阻R1、电容Cl、电容C2和三端稳压器Ul引脚1，整流桥Q引脚4分别连接电阻Rl另一端、电容Cl另一端、电容C2另一端、三端稳压器Ul引脚2、电容C3、电容C4、电阻R2和单向可控硅VS的A极，电容C4另一端分别连接电阻R2另一端、二极管Dl正极和单向可控硅VS的G极，二极管Dl负极分别连接三端稳压器Ul引脚3、电容C3另一端和熔断器FU，熔断器FU另一端分别连接单向可控硅VS的K极和TTL芯片供电端。2.根据权利要求1所述的TTL芯片过压保护电路，其特征在于，所述二极管Dl为稳压二极管。3.根据权利要求1所述的TTL芯片过压保护电路，其特征在于，所述单向可控硅VS型号为TL431。【专利摘要】本技术公开了一种TTL芯片过压保护电路，包括熔断器FU、变压器T、三端稳压器U1、二极管D1和单向可控硅VS。本技术TTL芯片过压保护电路通过使用熔断器FU、单向可控硅VS和二极管D1配合，对过电压的反应非常迅速，很好的起到了对TTL芯片的过压保护作用，非常适合推广使用。【IPC分类】H01L23-62【公开号】CN204558460【申请号】CN201520288380【专利技术人】俎阿倩, 张帆, 沈腾蛟 【申请人】俎阿倩【公开日】2015年8月12日【申请日】2015年5月6日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种TTL芯片过压保护电路，包括熔断器FU、变压器T、三端稳压器U1、二极管D1和单向可控硅VS，其特征在于，变压器T初级线圈两端连接220V交流电，变压器T次级线圈两端分别连接整流桥Q引脚1和整流桥Q引脚3，整流桥Q引脚2分别连接电阻R1、电容C1、电容C2和三端稳压器U1引脚1，整流桥Q引脚4分别连接电阻R1另一端、电容C1另一端、电容C2另一端、三端稳压器U1引脚2、电容C3、电容C4、电阻R2和单向可控硅VS的A极，电容C4另一端分别连接电阻R2另一端、二极管D1正极和单向可控硅VS的G极，二极管D1负极分别连接三端稳压器U1引脚3、电容C3另一端和熔断器FU，熔断器FU另一端分别连接单向可控硅VS的K极和TTL芯片供电端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：俎阿倩，张帆，沈腾蛟，
申请(专利权)人：俎阿倩，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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