本发明专利技术的要旨是使用于半导体装置的保护电路有效地起作用，来防止浪涌所引起的半导体装置的损坏。本发明专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括：端子电极；电路，其包括晶体管；光电二极管，其电连接到所述电路和所述端子电极；保护电路；以及布线，其不分支地电连接所述端子电极、所述保护电路和所述电路，其中，所述保护电路设置在所述端子电极和所述电路之间。可以防止静电放电所引起的半导体装置的损坏。此外，可以减少在半导体装置中产生的不良现象。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】半导体装置本申请是申请日为2010年6月28日、专利技术名称为“半导体装置”的申请号为201010212353.X专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种相对于静电放电等预料不到的高电压的施加具有防止电路损坏的单元的半导体装置。
技术介绍
作为集成电路的不良的很大原因之一，有静电放电(Electro Static Discharge，以下称为“ESD”)所引起的半导体元件、电极等的损坏。于是，作为ESD所引起的集成电路的损坏防止对策，在端子和集成电路之间插入保护电路。保护电路是用来防止在ESD现象时产生的称为浪涌或尖峰(spike)等的超过额定的过大电压或电流(下面，称为“浪涌”)被供应到集成电路的电路。作为用于保护电路的典型元件，有电阻元件、二极管、电容元件。例如，在专利文件I和2中记载有如下事实:利用形成在绝缘膜上的半导体层形成二极管，并且将该二极管用作保护电路的元件。在专利文件I中，在高频输出输入信号线和外部供应电源VDD之间插入有横向二极管，该横向二极管通过在多晶娃膜中在横方向上形成PN结来得到。在专利文件2中，将由半导体层构成的PIN 二极管用作保护元件。通过以相对于该PIN 二极管的I层的方式设置浮动电极，当过大电流流过于保护电路元件而栅极绝缘膜损坏，因此发生电贯穿时，PIN 二极管的P层(或N层)和浮动电极成为短路的结构。日本专利申请公开2002-100761号公报日本专利申请公开2006-60191号公报
技术实现思路
本专利技术的一个方式提供不容易产生不良的半导体装置。本专利技术的一个方式包括:端子电极；保护电路；集成电路；以及使它们彼此电连接的布线，其中，保护电路设置在端子电极和集成电路之间，并且，通过不分支布线地连接端子电极、保护电路及集成电路，可以减少施加到集成电路的浪涌的影响。本专利技术的一个方式包括:端子电极；保护电路；集成电路；以及使它们彼此电连接的布线，其中，在端子电极和集成电路之间不分支布线地设置保护电路，并且有效地使保护电路起作用来减少施加到集成电路的浪涌的影响。本专利技术的一个方式包括:端子电极；保护电路；集成电路；以及使它们彼此电连接的布线，其中，保护电路设置在端子电极和集成电路之间，不分支布线地连接端子电极、保护电路及集成电路，并且，根据输入到端子电极的信号控制保护电路。 另外，在本专利技术的一个方式中，也可以采用对端子电极施加电源电压的结构。本专利技术的一个方式是一种半导体装置，至少包括:第一端子电极；第二端子电极；第一布线；第二布线；保护电路；以及集成电路，其中，第一端子电极通过第一布线电连接到集成电路的一部分(第一区)，第二端子电极通过第二布线电连接到集成电路的另一部分(第二区)，位于第一端子电极和集成电路之间的第一布线的至少一部分不分支地电连接到保护电路的一部分(第一区)，位于第二端子电极和集成电路之间的第二布线的至少一部分不分支地电连接到保护电路的另一部分(第二区)，并且，根据第一布线和第二布线的电位差控制保护电路。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以采用在第一布线上施加电源电压的结构。此外，在本专利技术的一个方式中，也可以采用保护电路具有包括N型杂质区及P型杂质区的半导体膜的结构。本专利技术的一个方式是一种半导体装置，至少包括:第一端子电极；第二端子电极；第一布线；第二布线；第三布线；保护电路；以及集成电路，其中，第一端子电极通过第一布线电连接到集成电路的一部分(第一区)，第二端子电极通过第二布线电连接到集成电路的另一部分(第二区)，第三布线与第二布线电连接，第一端子电极和第三布线在其间夹着绝缘膜重叠，位于第一端子电极和集成电路之间的第一布线的至少一部分不分支地电连接到保护电路的一部分(第一区)，位于第二端子电极和集成电路之间的第二布线的至少一部分不分支地电连接到保护电路的另一部分(第二区)，并且，根据第一布线和第二布线的电位差控制保护电路。此外，本专利技术的一个方式是具有上述半导体装置的电子设备。本专利技术的一个方式可以防止由于静电放电所引起的的半导体装置的损坏。此外，还可以减少在半导体装置中产生的不良。【附图说明】图1A和IB是说明本专利技术的一个方式的半导体装置的图；图2A和2B是说明本专利技术的一个方式的半导体装置的图；图3A和3B是说明本专利技术的一个方式的半导体装置的图；图4A和4B是说明现有半导体装置的例子的图；图5A和5B是现有技术的例子及本专利技术的一个方式的半导体装置的等效电路图；图6A和6B是说明现有技术的例子及本专利技术的一个方式的半导体装置的电路计算结果的图；图7是本专利技术的一个方式的半导体装置的等效电路图；图8是说明本专利技术的一个方式的半导体装置的电路计算结果的图；图9是说明本专利技术的一个方式的光检测装置的结构的电路图；图10是本专利技术的一个方式的光检测装置的平面图；图11是说明本专利技术的一个方式的光检测装置的叠层结构的截面图；图12A至12E是说明本专利技术的一个方式的的截面图；图13A至13D是说明本专利技术的一个方式的的截面图；图14A至14C是说明本专利技术的一个方式的的截面图；图15A和15B是说明本专利技术的一个方式的的截面图；图16A和16B是说明本专利技术的一个方式的的截面图；图17是说明本专利技术的一个方式的的截面图；图18A和18B是说明本专利技术的一个方式的的平面图；图19A和19B是说明本专利技术的一个方式的的平面图；图20是说明本专利技术的一个方式的的平面图；图21是说明本专利技术的一个方式的的平面图；图22k至22G是说明本专利技术的一个方式的的截面图；图23A至23E是说明本专利技术的一个方式的电子设备的图。【具体实施方式】参照【附图说明】本专利技术。但是，本专利技术可以以多个不同形式来实施，所属
的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式而不脱离本专利技术的宗旨及其范围。因此，本专利技术不应该被解释为仅限定在本实施方式及实施例所记载的内容中。此外，在不同附图中使用相同的附图标记的要素表示相同的要素。因此，在下面的说明中省略这种要素的重复说明。实施方式I接着，参照图1A及图1B说明本专利技术的实施方式之一。图1A示出包括多个半导体元件的集成电路301、端子电极302、端子电极303及保护电路320的连接关系。端子电极302及端子电极303是半导体装置的输出端子及/或输入端子，且是与其他半导体装置的连接部。例如，端子电极302、端子电极303用作电源端子、信号输出端子、信号输入端子。注意，在本说明书中，除了在特别指定的情况下之外，在记载A设置在B上或A设置在B之上的情况下，A不必须直接接触地设置在B之上，例如还包括在截面视角上在A和B之间夹有其他对象物的情况。在此，A、B是对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、膜、层等)。此外，记载A设置在B之下的情况也同样地，A不必须直接接触地设置在B之下，例如还包括在截面视角上在A和B之间夹有其他对象物的情况。端子电极302和集成电路301通过布线304连接，在端子电极302和集成电路301之间保护电路320与布线304的一部分连接。此外，端子电极303和集成电路301通过布线305连接，在端子电极303和集成电路301之间保护电路320与布线305的一部分连接。也就是说，因为在端子电极302及端子电极303和本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：端子电极；电路，其包括晶体管；光电二极管，其电连接到所述电路和所述端子电极；保护电路；以及布线，其不分支地电连接所述端子电极、所述保护电路和所述电路，其中，所述保护电路设置在所述端子电极和所述电路之间。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：广濑笃志，宍户英明，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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