【技术实现步骤摘要】
本专利技术的一个方式涉及一种晶体管、半导体装置、存储装置以及电子设备。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置、存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置、电子设备等有时包括半导体装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。
技术介绍
1、lsi、cpu、存储器等的半导体电路(ic芯片)被安装在印刷线路板等上，并被用作各种电子设备的构件之一。此外，通过使用半导体薄膜构成晶体管的技术受到注目。该晶体管已被应用于图像显示装置(有时仅记作显示装置)等电子设备，并期待将其应用于上述半导体电路。
2、作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知。作为其他材料，氧化物半导体受到关注。已知使用氧化物半导体的晶体管为非导通状态(关闭状态)时流过的电流极小。
3、例如，专利文献1公开了利用使用氧化物半导体的晶体管的泄漏电流小的特性实现存储内容的长期保持的存储装置等。
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5、并且，如果能够实现纵向晶体管，可以实现集成电路的高密度化。例如，专利文献3公开了一种纵向晶体管，其中氧化物半导体的侧面隔着栅极绝缘体被栅电极覆盖。
6、[专利文献1]日本专利申请公开第2011-151383号公报
7、[专利文献2]国际专利申请公开第2021/053473号
8、[专利文献3]日本专利申请公开第2013-211537号公报
9、[非专利文献1]m.oota，et al.，“3d-stacked caac-in-ga-zn oxide fets withgate length of 72nm”，iedm tech.dig.，2019，pp.50-53
技术实现思路
1、专利文献1所公开的存储单元包括写入用晶体管及读出用晶体管，通过使读出用晶体管流过对应于在栅极中保持的数据电位的电流，使位线(读出线)的电位变化。
2、该存储单元不需要如dram那样在单元内设置体积大的电容器，因此能够形成集成度高的存储装置(存储器)。通过将存储单元所包括的构成要素以二维方式及三维方式适当地配置，可以进一步提高集成度，由此可以形成存储容量大的存储装置(存储器)。
3、由此，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可以实现高集成化的存储装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有良好的电特性的存储装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的存储装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的存储装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖存储装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖半导体装置等。
4、注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的目的。
5、本专利技术的一个方式是一种存储装置，该存储装置包括交错配置的多个存储单元、第一布线、第二布线、第三布线及第四布线，多个存储单元分别包括第一晶体管及第二晶体管，第二晶体管设置在第一晶体管的上方，第一晶体管包括具有形成在贯穿第三布线及第一绝缘体的第一开口部的侧面的区域的第一半导体、与第一半导体接触地覆盖第一开口部的第二绝缘体及以与第二绝缘体接触地嵌入第一开口部的方式设置的第一导电体，第一半导体具有在第一开口部的底部与第二布线接触的区域，第二晶体管包括具有形成在贯穿第四布线及第三绝缘体的第二开口部的侧面的区域的第二半导体、与第二半导体接触地覆盖第二开口部的第四绝缘体及以与第四绝缘体接触地嵌入第二开口部的方式设置的第二导电体，第二半导体具有在第二开口部的底部与第一导电体接触的区域，第一布线重叠设置在第二导电体上，在将包含第一开口部的俯视时的形状的最小的圆的直径记作d1且将包含第一导电体的俯视时的形状的最小的圆的直径记作d2时，第二布线的宽度为d1以上且d2以下并且第三布线及第四布线的宽度大于d2且为2×d2以下。
6、存储单元中的第一布线的宽度和第二布线的宽度优选大致相同，第一布线与第二布线优选大致平行且以彼此重叠的方式设置。
7、存储单元中的第三布线的宽度和第四布线的宽度优选大致相同，第三布线与第四布线优选大致平行且以彼此重叠的方式设置。
8、第一布线及第二布线与第三布线及第四布线优选大致正交。
9、第二布线可以具有用作第一晶体管的源电极和漏电极中的一个的区域，第三布线可以具有用作第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个的区域，第一导电体可以具有第一晶体管的栅电极的功能及第二晶体管的源电极和漏电极中的一个的功能，第四布线可以具有用作第二晶体管的源电极和漏电极中的另一个的区域。
10、第一开口部的直径及第二开口部的直径优选大致相同，第一开口部及第二开口部优选以彼此重叠的方式设置。
11、多个存储单元优选在第三布线及第四布线的长边方向上交错配置为2列。
12、在第一晶体管及第二晶体管的各自中，沟道长度优选小于晶体管的沟道宽度。
13、在上述存储装置中，优选第一半导体和第二半导体都为氧化物半导体，氧化物半导体优选包含选自in、ga和zn中的任一个或多个。
14、根据本专利技术的一个方式可以提供一种可以实现高集成化的存储装置。根据本专利技术的一个方式可以提供一种具有良好的电特性的存储装置。根据本专利技术的一个方式可以提供一种可靠性高的存储装置。根据本专利技术的一个方式可以提供一种功耗低的存储装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖存储装置。根据本专利技术的一个方式可以提供一种新颖半导体装置等。
15、注意，这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的效果。
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1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，
3.根据权利要求1所述的存储装置，
4.根据权利要求1所述的存储装置，
5.根据权利要求1所述的存储装置，
6.根据权利要求1所述的存储装置，
7.根据权利要求1所述的存储装置，
8.根据权利要求1所述的存储装置，
9.根据权利要求1所述的存储装置，
10.根据权利要求1所述的存储装置，
11.一种存储装置，包括：
12.根据权利要求11所述的存储装置，
13.根据权利要求11所述的存储装置，
14.根据权利要求11所述的存储装置，
15.根据权利要求11所述的存储装置，
16.根据权利要求11所述的存储装置，
17.根据权利要求11所述的存储装置，
18.根据权利要求11所述的存储装置，
19.根据权利要求11所述的存储装置，
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，
3.根据权利要求1所述的存储装置，
4.根据权利要求1所述的存储装置，
5.根据权利要求1所述的存储装置，
6.根据权利要求1所述的存储装置，
7.根据权利要求1所述的存储装置，
8.根据权利要求1所述的存储装置，
9.根据权利要求1所述的存储装置，
10.根据权利要求1所述的存储装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：松嵜隆徳，井上广树，冈本佑树，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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