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提供一种能够高集成化的存储装置。一种存储单元包括第一晶体管及第二晶体管的存储装置，作为两个晶体管使用设置在绝缘层中的开口部的侧面具有沟道形成区域的占有面积小的纵向晶体管。存储单元包括具有第一晶体管的栅电极的功能及第二晶体管的源电极和漏电极中...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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