一种用于校准模拟集成电路的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于校准模拟集成电路的方法及装置，该方法包括：根据烧写控制信号，存储模拟集成电路的校准信息；根据熔丝检测选通信号，通过检测节点输出所述校准信息以便于进行检测，检测后输出检测结果输出信号；其中，地址选择信号和读使能信号组成所述熔丝检测选通信号，所述地址选择信号和写使能信号组成所述烧写控制信号。本发明专利技术中，当需要更改存储单元位数时，只需更改存储单元阵列中的存储单元复用数目，并且在逻辑控制单元代码中增加相应的地址选择控制即可，明显地提高存储电路的设计效率以及模块的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种用于校准模拟集成电路的方法及装置
技术介绍
由于模拟集成电路芯片在生产工艺步骤中通常存在一定的非理想偏差，当芯片制造完成之后，一般会根据实测结果对芯片性能进行独立地微调。为了方便地实现相应调整信息的存储，通常采用基于熔丝的存储电路作为存储媒介。针对不应用的芯片，其所需的调整信息存储位数往往不尽相同。例如：芯片A的功能对电流的精确度要求极高，需要用比较多的二进制位数才能调整到所需的精度以内，比如5位；然而芯片B虽然对电流的精度敏感，但不需要那么精确，2位的调整精度就可以，再多的位数则会浪费资源；芯片C除了对电流有调整需求外还对电压有调整需求，这里就需要有足够相应的存储位数分别对应于电流与电压的调整。目前还没有能够采取一种通用的模拟电路模块化设计方法来设计存储电路，该方法将会明显地提高存储电路的设计效率以及模块的稳定性。
技术实现思路
本申请的目的是针对现有技术中存在的上述不足，提出了一种用于校准模拟集成电路的方法及装置。本申请第一方面提供一种用于校准模拟集成电路的装置，所述装置包括存储阵列单元、存储信息监测单元以及逻辑控制单元；其中，所述存储阵列单元根据烧写控制信号，存储模拟集成电路的校准信息；根据熔丝检测选通信号，通过检测节点输出存储的校准信息给所述存储信息监测单元；所述存储信息监测单元根据所述逻辑控制单元的检测使能控制信号，通过所述检测节点对所述校准信息进行检测，并输出检测结果输出信号给所述逻辑控制单元；所述逻辑控制单元通过输出地址选择信号、读使能信号、写使能信号以及检测使能控制信号，来控制所述校准信息的存储和检测；其中，所述地址选择信号和读使能信号组成所述熔丝检测选通信号，所述地址选择信号和所述写使能信号组成所述烧写控制信号，所述地址选择信号选中存储阵列单元中的一个或多个存储单元。在第一方面第一种可能实现的方式中，所述存储阵列单元包括至少一个存储单元，所述存储单元包括熔丝、第一开关以及第二开关；其中，所述熔丝的一端与电源相连，另一端与所述第一开关以及所述第二开关的一端相连；所述第一开关的另一端与检测节点相连；所述第二开关的另一端接地。在第一方面第二种可能实现的方式中，所述存储信息监测单元包括熔丝偏置模块和比较器；所述比较器的一端输入基准参考电压，另一端与所述检测节点和所述熔丝偏置模块相连，比较器的输出作为所述存储信息检测单元的输出；其中，所述熔丝偏置模块，由直接接地的电流源或电阻构成。结合第一方面第二种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述熔丝偏置模块基于所述熔丝通断状态生成待检电压，所述待检电压与所述基准参考电压输入比较器，所述比较器输出比较结果。在第一方面第四种可能实现的方式中，所述存储阵列单元在所述烧写控制信号的控制下，对一个或多个所述存储单元同时进行烧写操作；所述存储信息检测单元每次只对一个所述存储单元进行校准信息的检测。在第一方面第五种可能实现的方式中，当需要更改存储单元位数时，更改存储单元阵列中存储单元数目，且同时更改所述逻辑控制单元中地址选择信号。在第一方面第六种可能实现的方式中，当所述逻辑控制单元不需要进行所述校准信息烧写操作以及检测时，所述逻辑控制单元可以关闭所述存储阵列单元和所述存储信息监测单元，以便节省功耗。本申请第二方面提供一种用于校准模拟集成电路的方法，所述方法包括：根据烧写控制信号，存储模拟集成电路的校准信息；根据熔丝检测选通信号，通过检测节点输出所述校准信息以便于进行检测，检测后输出检测结果输出信号；其中，地址选择信号和读使能信号组成所述熔丝检测选通信号，所述地址选择信号和写使能信号组成所述烧写控制信号，所述地址选择信号选中存储阵列单元中的一个或多个存储单元。在第二方面第一种可能实现的方式中，所述方法还包括：在所述烧写控制信号执行烧写操作时，关闭与所述烧写操作无关的功能；或者在所述熔丝检测选通信号执行所述校准信息检测操作时，关闭与所述检测操作无关的功能，以便于节省功耗。在第二方面第二种可能实现的方式中，所述方法还包括：当需要更改存储单元位数时，更改存储单元阵列中存储单元数目，且同时更改所述逻辑控制单元中地址选择信号。本申请提供的校准模拟集成电路，当需要更改存储单元位数时，只需更改存储单元阵列中的存储单元复用数目，并且在逻辑控制单元代码中增加相应的地址选择控制即可，明显地提高存储电路的设计效率以及模块的稳定性。附图说明为了更清楚说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种用于校准模拟集成电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种存储单元电路示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种存储信息检测单元电路示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种用于校准模拟集成电路的方法流程示意图。具体实施方式下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。下面以图1为例，对本专利技术实施例进行详细说明。图1为本专利技术实施例提供的一种用于校准模拟集成电路的结构示意图。如图1所示，所述装置包括存储阵列单元、存储信息监测单元以及逻辑控制单元。具体地，所述存储阵列单元根据烧写控制信号，存储模拟集成电路的校准信息；根据熔丝检测选通信号，通过检测节点输出存储的校准信息给所述存储信息监测单元；所述存储信息监测单元根据所述逻辑控制单元的检测使能控制信号，通过所述检测节点对所述校准信息进行检测，并输出检测结果输出信号给所述逻辑控制单元；所述逻辑控制单元通过输出地址选择信号、读使能信号、写使能信号以及检测使能控制信号，来控制所述校准信息的存储和检测；其中，所述地址选择信号和读使能信号组成所述熔丝检测选通信号，所述地址选择信号和所述写使能信号组成所述烧写控制信号。需要说明的是，所述存储阵列单元有N个存储单元，N为大于1的整数；且每一个存储单元对应一个检测节点。上述存储阵列单元包括至少一个存储单元。下面以图2为例，对本专利技术实施例中的存储单元进行说明。如图2所示，图2为本专利技术实施例提供的一种存储单元电路示意图。具体地，所述存储单元包括熔丝F1、第一开关S1以及第二开关S2；其中，所述熔丝F1的一端与电源相连，另一端与所述第一开关S1以及所述第二开关S2的一端相连；所述第一开关S1的另一端与检测节点相连；所述第二开关S2的另一端接地。在烧写的过程中，所述逻辑控制单元输出地址选择信号，选中待烧写的存储单元。当写使能有效时，在选中的待烧写的存储单元中，开关S2导通以形成电源经由熔丝F1及导通的开关S2到地的通路，以熔断熔丝F1。此时，在选中的待烧写的存储单元中的熔丝检测选通信号以及存储信息检测单元中检测使能信号均处于无效状态。图3为本专利技术实施例提供的一种存储信息检测单元电路示意图。具体地，所述存储信息监测单元包括熔丝偏置模块和比较器；所述比较器的一端输入基准参考电压，另一端与所述检测节点和所述熔丝偏置模块相连，比较器的输出作为所述存储信息检测单元的输出；其中，所述熔丝偏置模块，由直接接地的电流源或电阻构成。在检测过程中，由逻辑控制单元输出地址选择信号，选通唯一的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于校准模拟集成电路的装置，其特征在于，所述装置包括存储阵列单元、存储信息监测单元以及逻辑控制单元；其中，所述存储阵列单元根据烧写控制信号，存储模拟集成电路的校准信息；根据熔丝检测选通信号，通过检测节点输出存储的校准信息给所述存储信息监测单元；所述存储信息监测单元根据所述逻辑控制单元的检测使能控制信号，通过所述检测节点对所述校准信息进行检测，并输出检测结果输出信号给所述逻辑控制单元；所述逻辑控制单元通过输出地址选择信号、读使能信号、写使能信号以及检测使能控制信号，来控制所述校准信息的存储和检测；其中，所述地址选择信号和读使能信号组成所述熔丝检测选通信号，所述地址选择信号和所述写使能信号组成所述烧写控制信号，所述地址选择信号选中存储阵列单元中的一个或多个存储单元。

【技术特征摘要】
1.一种用于校准模拟集成电路的装置，其特征在于，所述装置包括存储阵列单元、存储信息监测单元以及逻辑控制单元；其中，所述存储阵列单元根据烧写控制信号，存储模拟集成电路的校准信息；根据熔丝检测选通信号，通过检测节点输出存储的校准信息给所述存储信息监测单元；所述存储信息监测单元根据所述逻辑控制单元的检测使能控制信号，通过所述检测节点对所述校准信息进行检测，并输出检测结果输出信号给所述逻辑控制单元；所述逻辑控制单元通过输出地址选择信号、读使能信号、写使能信号以及检测使能控制信号，来控制所述校准信息的存储和检测；其中，所述地址选择信号和读使能信号组成所述熔丝检测选通信号，所述地址选择信号和所述写使能信号组成所述烧写控制信号，所述地址选择信号选中存储阵列单元中的一个或多个存储单元。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述存储阵列单元包括至少一个存储单元，所述存储单元包括熔丝(F1)、第一开关(S1)以及第二开关(S2)；其中，所述熔丝(F1)的一端与电源相连，另一端与所述第一开关(S1)以及所述第二开关(S2)的一端相连；所述第一开关(S1)的另一端与检测节点相连；所述第二开关(S2)的另一端接地。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述存储信息监测单元包括熔丝偏置模块和比较器；所述比较器的一端输入基准参考电压，另一端与所述检测节点和所述熔丝偏置模块相连，比较器的输出作为所述存储信息检测单元的输出；其中，所述熔丝偏置模块，由直接接地的电流源或电阻构成。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述熔丝偏置模块基于所述熔丝通...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓龙，林建辉，夏磊，
申请(专利权)人：英特格灵芯片天津有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12