【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例是关于半导体装置。更特别地，本专利技术的实施例是关于包含鳍片基础熔丝的集成电路以及制造所述集成电路的方法。
技术介绍
现有技术包括具有可选择的、可切换的以及/或可用于操作状态、特征、装置或组件的半导体装置与电路。在许多实施中，视需要使用一次可编程(OTP)熔丝，可插入或移除不同的组件或电路。例如，OTP熔丝典 型用于SRAM装置中实施快取冗余信息(cacheredundancy)。所述OTP熔丝可用于移除内存胞元的坏栏或列，以及用冗余的栏或列置換所述坏内存胞元。OTP熔丝装置的主要目的是作为传导路径直到它“烧断”。根据历史，集成的熔丝装置已经涉及图案化的金属传导链接，可选择性被激光束或是通过大量电流烧断或切断。此过程造成部分连结材料蒸发或是部分连结材料熔化，这与自动熔丝方式相同，但规模较小许多。一旦被烧断，由于烧断的熔丝抑制电流流经且代表开放电路至电流路径，所以所述熔丝从高传导状态改变至高阻抗性(亦即非传导性)状态。目前的半导体技术使用多晶硅或金属制造且由破裂导体链接而编程的e-熔丝。除了环绕钝化作用与金属的严格需求之外，这些e-熔丝相对大，并...
【技术保护点】
一种制造集成电路的方法，所述集成电路包含鳍片基础熔丝，所述方法包括：从半导体材料层产生鳍片，其中所述鳍片具有第一端与第二端；在所述鳍片上，从所述第一端至所述第二端形成传导路径；以及电连接所述传导路径至编程装置，所述编程装置可选择性导引编程电流通过所述传导路径，造成所述传导路径中结构改变，增加通过所述传导路径的阻抗。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：R·曼，K·梅特拉，A·米塔尔，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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