一种低介电常数介质表面去羟基化的方法技术

本发明专利技术属于集成电路互连介质的处理领域，具体涉及一种低介电常数介质表面去羟基化的方法。本发明专利技术使用含有三甲基硅基基团的有机物携氢气载气对低介电常数介质表面进行处理，通过化学反应去除低介电常数介质表面的大多数极性羟基基团，并使之替代为无极性的三甲基硅基基团或者三甲基硅氧基基团，可以降低低介电常数介质的介电常数，使得整个电路的RC延迟下降。本发明专利技术所提出的低介电常数介质表面的去羟基化工艺与传统互连工艺之间具有很高的兼容性，并且可以使得互连当中的低介电常数介质不易吸水，延长芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路互连介质处理
，具体涉及低介电常数介质表面的处理方法，尤其涉及ー种低介电常数介质表面去羟基化的方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，集成电路的特征尺寸正在不断縮小，从以前的O. 13微米エ艺一直发展到今天主流的45纳米エ艺，甚至因特尔已经推出了 22纳米エ艺。器件尺寸越来越小，电路的互连层数越来越多，电路中的RC(R指电阻，C指电容)延迟对电路的性能带来很大的影响。由于电容C正比于电路互连层中隔离介质的相对介电常数值，因此在超大規模集 成电路互连中，低介电常数材料已替代传统的ニ氧化硅(SiO2)介质成为铜互连隔离介质研究的主流。有些材料，比如碳硅氧氢化物(SiCOH)薄膜由于含有有机碳基团和纳米孔隙，具有很低的介电常数(k)值(k=2. 3 一 3. O),已成为广泛研究的低介电常数材料之一。出于对芯片垂直空间的利用需要，目前多采用多层铜互连技术，这使得硅片表面的不平整度加剧，需要在沉积好低介电常数介质之后进行化学机械平坦化工艺以及等离子体处理，使其表面平整。但是经过表面等离子体处理之后，低介电常数介质的表面会吸附ー些具有极性的羟基基团，使得其介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低介电常数介质表面去羟基化的方法，其特征在于，包括：用含有三甲基硅基基团的有机物对低介电常数介质表面进行处理,通过化学反应将低介电常数介质表面的羟基基团用三甲基硅基基团或者三甲基硅氧基基团替代。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙清清，房润辰，张卫，王鹏飞，周鹏，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：