【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种工艺集成方法，尤其涉及。
技术介绍
在半导体制造工艺中，随着集成电路制造工艺的不断进步，芯片集成度的不断提高，铜已经取代铝成为超大规模集成电路制造中的主流体互联技术，作为铝的替代物，铜互连具有许多优点首先，铜的电阻率小，且后道互连的耦合延迟比铝后道互连的耦合延迟小，有利于提高器件性能和降低功耗。其次，在承受相同电流条件下，铜互连线横截面比铝互连线横截面小，所形成的相邻导线间的寄生电容减小，有利于降低信号串扰。另外，铜的抗电致迁移率比铝好，不易产生连线空洞，提高了器件可靠性。总之，铜互连的应用可以提 高芯片的集成度，提高器件密度，提高时钟频率以及降低功耗和成本。由于对铜的刻蚀非常困难，以往铜互连一般采用如下的双大马士革嵌入式工艺 步骤一，首先沉积一层薄的刻蚀终止层； 步骤二，接着在上面沉积一定厚度的绝缘层； 步骤三，然后进行相应的光刻、刻蚀工艺，形成出完整的通孔和沟槽； 步骤四，接着使用物理气相沉积进行溅射扩散阻挡层和铜种籽层； 步骤五，就是铜互连线的电镀工艺； 步骤六，最后是退火和化学机械抛光，对铜镀层进行平坦化处理和清洗。通过重复...
【技术保护点】
一种降低铜的化学机械抛光形成表面蝶形凹陷的方法，工艺步骤包括：步骤一，首先沉积一层刻蚀终止层；步骤二，接着在刻蚀终止层表面沉积一层具有一定厚度的绝缘层；步骤三，然后对绝缘层进行光刻以及刻蚀工艺，使在绝缘层中形成通孔和沟槽；步骤四，接着使用物理气相沉积扩撒阻挡层以及在扩撒阻挡层上沉积金属铜，形成铜互连线；步骤五，对铜互连线的上表面进行电镀工艺；步骤六，最后是使用退火和化学机械抛光，对经电镀工艺过的铜互连线上表面进行平坦化处理与清洗；通过重复以上步骤一至步骤六的工序，形成多层金属叠加，其特征在于，还包括：在所述步骤五中铜互连线的上表面进行的电镀工艺之后，需淀积一层填充材料，并进...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：方精训，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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