具有调整耐受性的化学机械抛光层调配物制造技术

本发明专利技术提供一种化学机械抛光垫，其含有：具有组合物和抛光表面的聚氨基甲酸酯抛光层；其中所述聚氨基甲酸酯抛光层组合物展现≥0.5mg(KOH)/g的酸值；其中所述抛光表面被调适用于抛光衬底；且其中所述抛光表面展现≥80％的调整耐受性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及包括具有调整耐受性的化学机械聚氨基甲酸醋抛光层的化学机械抛 光垫W及一种化学机械抛光衬底的方法。更具体地说，本专利技术设及一种化学机械抛光垫，其 包含具有组合物和抛光表面的聚氨基甲酸醋抛光层；其中所述聚氨基甲酸醋抛光层组合物 展现> 0. 5mg(K0H)/g的酸值；其中所述抛光表面被调适用于抛光衬底；且其中所述抛光表 面展现> 80%的调整耐受性。
技术介绍
半导体的生产通常设及数种化学机械平面化（CM巧工艺。在每一CMP工艺中，抛光 垫W及抛光溶液（如含研磨剂的抛光浆料或不含研磨剂的反应性液体）W平坦化或维持平 坦度W便接收后续层的方式去除过量物质。运些层的堆叠W形成集成电路的方式组合。运 些半导体装置的制造由于对操作速度更高、泄漏电流更低W及功率消耗降低的装置的需求 而不断变得更复杂。在装置架构方面，运相当于更精细的特征几何结构W及增加的金属化 水平。运些逐渐严格的装置设计需求驱使采用铜金属化W及介电常数更低的新介电材料。 减少的物理特性（时常与低k和超低k材料相关）W及装置增加的复杂性已产生对CMP消 耗品（如抛光垫和抛光溶液）的更大需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光垫，其包含：具有组合物和抛光表面的聚氨基甲酸酯抛光层；其中所述聚氨基甲酸酯抛光层组合物展现≥0.5mg(KOH)/g的酸值；其中所述抛光表面被调适用于抛光衬底；且其中所述抛光表面展现≥80％的调整耐受性。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：B·钱，M·W·德格罗特，M·F·索南夏因，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，陶氏环球技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US