降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法技术

一种降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法，包括：第一步骤：执行版图载入；第二步骤：选定格点大小，根据设置的起始点移动步长，并计算两个垂直移动方向上的单方向移动次数；第三步骤：将版图切割起始点(X,Y)按照{(X‑m*s),(Y‑n*s)}进行移动，其中s为起始点移动步长，m和n为整数且初值均为所述单方向移动次数；第四步骤：执行格点几何信息提取；第五步骤：执行化学机械抛光工艺模拟预测；第六步骤：执行热点检测；第七步骤：使得n递增1，在递增1之后的n小于单方向移动次数时，重复第三步骤到第六步骤，或使得m递增1，在递增1之后的m小于单方向移动次数时，使得n递增1，当递增1后的n也小于单方向移动次数时，重复第三步骤到第六步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法。
技术介绍
在现有化学机械抛光工艺热点检测过程中，通常包括如图1所示流程。在几何信息提取前，需将版图按照一定大小切割成若干格点。版图切割起始点固定为版图窗口左下角(固定起始点切割)，在切割过程中，那些处在格点交界处的图形会被多个格点所切分。当格点交界处图形面积较小时，格点交界处图形对所在格点工艺波动的贡献可以忽略不计，但是当格点交界处图形面积较大或格点内图形都分布在格点交界处时，格点交界处图形对所在格点的工艺影响将不可被忽略。然而因为切分会对图形自身几何信息提取产生弱化，所以处在格点交界处的图形自身几何信息将不能被各切分格点正确提取，如图2A所示:处于格点Grid(n,n+1)、Grid(n+1,n+1)、Grid(n,n)、Grid(n+1,n)交界处边长为2a的正方形图形恰好被4个交界格点平均切分，假设格点大小为S并且大于正方形图形边长的一半a，那么根据格点几何信息提取公式可以得出交界处4个格点的提取几何信息都为：密度＝(a*a)/(S*S)周长＝a+a＝2a权重线宽＝{a*(a*a)

【技术保护点】
一种降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法，其特征在于包括：第一步骤：执行版图载入；第二步骤：选定格点大小，根据设置的起始点移动步长，并计算两个垂直移动方向上的单方向移动次数；第三步骤：将版图切割起始点(X,Y)按照{(X‑m*s),(Y‑n*s)}进行移动，其中s为起始点移动步长，m和n为整数且初值均为所述单方向移动次数；第四步骤：执行格点几何信息提取；第五步骤：执行化学机械抛光工艺模拟预测；第六步骤：执行热点检测；第七步骤：使得n递增1，在递增1之后的n小于单方向移动次数时，重复第三步骤到第六步骤，或使得m递增1，在递增1之后的m小于单方向移动次数时，使得n递增1，当递增1后的n也小于单方向移动次数时，重复第三步骤到第六步骤；第八步骤：当递增1之后的m和递增1之后的n都不小于各自单方向移动次数时执行热点综合和热点修复。

【技术特征摘要】
1.一种降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法，其特征在于包括：第一步骤：执行版图载入；第二步骤：选定格点大小，根据设置的起...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜立维，曹云，倪念慈，阚欢，魏芳，朱骏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31