CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法技术

技术编号:9351805 阅读:228 留言:0更新日期:2013-11-20 19:07
本发明专利技术CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法,所述方法的步骤如下:步骤S1:利用光学元件抛光前后的功率谱密度函数PSDbef、PSDaft,构建出平滑谱函数H与PSDaft、PSDbef的公式(1)PSDaft=(1-H)(1-H)*·PSDbef,其中(1-H)*为(1-H)的共轭,*为求共轭的运算符;步骤S2:根据复数运算法则,对公式(1)两边取模得到抛光后面形数据的功率谱密度函数表达式(2)PSDaft=|(1-H)|2·PSDbef;步骤S3:由于平滑谱函数H为去除函数归一化后的傅里叶变换,所以根据|H|<1,求解公式(2),构建出平滑谱函数H的公式(3)公式(3)将CCOS抛光工艺抑制不同频段误差的能力表示为频率的归一化函数,利用抛光前后得到的PSDbef、PSDaft计算平滑谱函数曲线,根据平滑谱函数曲线值的大小来评价CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的大小。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法,其特征在于所述评价方法的步骤如下:步骤S1:利用光学元件抛光前、抛光后的面形数据的功率谱密度函数PSDbef和PSDaft,构建出平滑谱函数与PSDaft、PSDbef的数学关系公式:PSDaft=(1?H)(1?H)*·PSDbef????(1)公式(1)中H为平滑谱函数即去除函数归一化后的傅里叶变换,(1?H)*为(1?H)的共轭,*为求共轭的运算符;步骤S2:根据复数运算法则,对公式(1)两边取模得到抛光后面形数据的功率谱密度函数的表达公式:PSDaft=|(1?H)|2·PSDbef????(2)步骤S3:由于平滑谱函数H是去除函数归一化...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王佳范斌万勇建施春燕卓彬孟凯
申请(专利权)人:中国科学院光电技术研究所
类型:发明
国别省市:

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