一种背面硅通孔制作方法技术

本发明专利技术提供了一种背面硅通孔制作方法，提供具有衬底和半导体器件层的晶片，所述半导体器件层位于所述衬底的晶片器件面上，所述半导体器件层中包括半导体器件，与半导体器件电接触的钨栓塞，及位于所述钨栓塞上方且与之相连的铝连线，该方法包括：从所述衬底的晶片背面依次刻蚀所述衬底和半导体器件层，以所述铝连线作为刻蚀停止层，形成与所述铝连线相通的硅通孔后，在硅通孔中填充金属形成导电通孔。本发明专利技术提出的背面硅通孔制作方法以半导体器件层中的铝连线作为硅通孔的刻蚀停止层和硅通孔中形成导电通孔的电连接点，避免了以金属互连层中的金属衬垫或者延伸金属衬垫作为导电通孔的电连接点时无法准确定位硅通孔位置以及刻蚀穿通问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造方法，特别涉及。
技术介绍
目前，半导体集成电路(IC)制造主要在硅衬底的晶片(wafer)器件面上生长半导体器件并进行互连。半导体器件制作在器件层中，以金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)器件为例，MOSFET器件的主要结构包括有源区、源极、漏极和栅极，其中，所述有源区位于硅衬底中，所述栅极位于有源区上方，所述栅极两侧的有源区分别进行离子注入后形成源极和漏极，所述栅极下方具有导电沟道，所述栅极和导电沟道之间有栅极电介质层。根据MOSFET器件的工作原理，必须通过对MOSFET的源极、栅极和漏极分别施加不同的电压实现MOSFET器件的导通和关闭，因此在NOSFET器件的主要结构制作完成后，还要在器件层中制 在MOSFET器件所在的器件层制作完毕后，还要在器件层之上制作金属互连层，由金属互连层为NOSFET器件之间的信号传输提供物理保证。金属互连层的制作称为金属互连层工艺(BEOL)。现有技术中，BEOL通常是指在金属间电介质(MD)中刻蚀通孔(via)和沟槽(trench)并在其中填充金属形成金属连线和金属衬垫(metal pad),其中，IMD用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背面硅通孔制作方法，提供具有衬底和半导体器件层的晶片，所述衬底具有晶片器件面和与其相对的晶片背面，所述半导体器件层位于所述衬底的晶片器件面上，所述半导体器件层中包括半导体器件，与半导体器件电接触的钨栓塞，及位于所述钨栓塞上方，与所述钨栓塞相连的铝连线，其特征在于，该方法包括：从所述衬底的晶片背面依次刻蚀所述衬底和半导体器件层，以所述铝连线作为刻蚀停止层，形成与所述铝连线相通的硅通孔；所述硅通孔中填充金属形成导电通孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁万春，刘国安，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：