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本发明提供了一种背面硅通孔制作方法，提供具有衬底和半导体器件层的晶片，所述半导体器件层位于所述衬底的晶片器件面上，所述半导体器件层中包括半导体器件，与半导体器件电接触的钨栓塞，及位于所述钨栓塞上方且与之相连的铝连线，该方法包括：从所述衬底的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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