【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及半导体器件，并且更具体地涉及在不掏蚀(undercut)互连结构下面的种子层的情况下在半导体管芯的接触焊盘上的种子层之上形成互连结构的半导体器件和方法。
技术介绍
常常在现代电子产品中发现半导体器件。半导体器件在电部件的数目和密度方面变化。分立的半导体器件一般包含一种类型的电部件，例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器、功率金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)。集成半导体器件典型地包含几百个到数以百万的电部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、微处理 器、电荷耦合器件(CXD )、太阳能电池以及数字微镜器件(DMD )。半导体器件执行各种的功能，诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、将太阳光转变为电カ以及产生用于电视显示的视觉投影。在娱乐、通信、功率转换、网络、计算机以及消费产品的领域中发现半导体器件。还在军事应用、航空、汽车、エ业控制器和办公设备中发现半导体器件。半导体器件利用半导体材料的电属性。半导体材料的原子结构允许通过施加电场或基电流(base current)或通过掺杂エ艺而操纵其...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体晶片；在半导体晶片之上形成第一导电层；在半导体晶片之上形成第一绝缘层，第一绝缘层中的第一开口被设置在第一导电层之上；在第一绝缘层之上并进入到第一导电层之上的第一开口中形成第二导电层；在第一和第二导电层之上形成互连结构；以及在第一绝缘层中的第一开口外面去除第一绝缘层之上的第二导电层的一部分，该互连结构具有比第一绝缘层中的第一开口的宽度小的宽度。
【技术特征摘要】
2011.06.23 US 13/167,4871.一种制造半导体器件的方法，包括 提供半导体晶片； 在半导体晶片之上形成第一导电层； 在半导体晶片之上形成第一绝缘层，第一绝缘层中的第一开口被设置在第一导电层之上； 在第一绝缘层之上并进入到第一导电层之上的第一开口中形成第二导电层； 在第一和第二导电层之上形成互连结构；以及 在第一绝缘层中的第一开口外面去除第一绝缘层之上的第二导电层的一部分，该互连结构具有比第一绝缘层中的第一开口的宽度小的宽度。2.权利要求I的方法，其中，该互连结构包括导电柱或导电焊盘。3.权利要求2的方法，还包括在导电柱或导电焊盘之上形成凸块材料。4.权利要求I的方法，其中，在第一和第二导电层之上形成互连结构包括 在第一绝缘层之上形成第二绝缘层，第二绝缘层中的第二开口被设置在第一和第二导电层之上，该第二开口具有比第一绝缘层中的第一开口的宽度小的宽度； 向第二绝缘层的第二开口中沉积导电材料以形成互连结构；以及 去除第二绝缘层以留下具有小于第一绝缘层中的第一开口的宽度的宽度的互连结构。5.权利要求4的方法，还包括通过激光直接烧蚀在第二绝缘层中形成第二开口以使第二导电层露出。6.权利要求I的方法，其中，在第一和第二导电层之上形成互连结构包括 在第一绝缘层之上形成第二绝缘层，第二绝缘层中的第二开口被设置在第一和第二导电层之上，该第二开口具有比第一绝缘层中的第一开口的宽度小的宽度；以及向第二绝缘层的第二开口中沉积第一导电材料以形成第一导电焊盘。7.权利要求6的方法，其中，在第一和第二导电层之上形成互连结构还包括 在第一导电材料之上形成掩模层，掩模层中的第三开口被设置在第一导电焊盘之上，该第三开口具有比第二绝缘层中的第二开口的宽度小的宽度； 向掩模层的第三开口中沉积第二导电材料以形成堆叠在第一导电焊盘之上的第二导电焊盘； 去除掩模层； 在第一和第二导电焊盘之上沉积凸块材料；以及 去除第二绝缘层以留下互连结构。8.—种制造半导体器件的方法，包括 提供半导体管芯； 在半导体管芯之上形成第一绝缘层，在第一绝...
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