导电接触物的制造方法技术

一种导电接触物的制造方法，包括：提供半导体基板，其上具有介电层且其内具有两个导电区与隔离组件，而该隔离组件隔离了该两个导电区；在该介电层内形成开口，露出该隔离组件的顶面及该两个导电区的部份顶面；施行磊晶程序，在该开口内形成导电半导体层，覆盖该隔离组件该顶面及该两个导电区的该部份顶面；以及在该开口内形成导电层，覆盖该导电半导体层并填满该开口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构的制造方法，且特别涉及具有较低接触电阻值(reduced contact resistance)的一种。
技术介绍
近年来，随着半导体装置尺寸越来越小，组件的集成度越来越高。因此，半导体装置内的导电接触物的尺寸也变得更小。因此，形成位于半导体基板内的导电区与位于层间绝缘层上的导线层之间的该层间绝缘层内的为当今半导体制作中众多重要技术之一。而随着集成电路装置内组件集成度的增加，形成于此层间绝缘层内的导电接触物的接触电阻值也随着导电接触物的尺寸的缩减而增加。因此，需要发展出具有较低接触电阻值的一种，以用于尺寸更为缩减的半导体装置。
技术实现思路
依据一实施例，本专利技术提供了一种，包括提供半导体基板，其上具有介电层且其内具有两个导电区与隔离组件，而该隔离组件隔离了该两个导电区；在该介电层内形成开口，露出该隔离组件的顶面及该两个导电区的部份顶面；施行磊晶程序，在该开口内形成导电半导体层，覆盖该隔离组件的该顶面及该两个导电区的该部份顶面；以及在该开口内形成导电层，覆盖该导电半导体层并填满该开口。为让本专利技术的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电接触物的制造方法，其特征在于包括：提供半导体基板，所述半导体基板上具有介电层且所述半导体基板内具有两个导电区与隔离组件，而所述隔离组件隔离了所述两个导电区；在所述介电层内形成开口，露出所述隔离组件的顶面及所述两个导电区的部份顶面；施行磊晶程序，在所述开口内形成导电半导体层，覆盖所述隔离组件的所述顶面及所述两个导电区的所述部份顶面；以及在所述开口内形成导电层，覆盖所述导电半导体层并填满所述开口。

【技术特征摘要】
2011.06.16 US 13/162,5361.一种导电接触物的制造方法，其特征在于包括 提供半导体基板，所述半导体基板上具有介电层且所述半导体基板内具有两个导电区与隔离组件，而所述隔离组件隔离了所述两个导电区； 在所述介电层内形成开口，露出所述隔离组件的顶面及所述两个导电区的部份顶面； 施行磊晶程序，在所述开口内形成导电半导体层，覆盖所述隔离组件的所述顶面及所述两个导电区的所述部份顶面；以及 在所述开口内形成导电层，覆盖所述导电半导体层并填满所述开口。2.根据权利要求I所述的导电接触物的制造方法，其特征在于所述隔离组件为浅沟槽隔离组件。3.根据权利要求I或2所述的导电接触物的制造方法，其特征在于所述半导体基板为P型基板，而所述两个导电区为N型区。4.根据权利要求I或2所述的导电接触物的制造方法，其特征在于在形...

【专利技术属性】
技术研发人员：何家铭，陈逸男，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：