【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造エ艺，特别是ー种。
技术介绍
现代半导体器件制作过程中，随着电路结构越来越复杂，一次金属连线不能满足要求，因此往往采用多次金属进行互联。但是当金属线相互交叉或者重叠时，就会存在寄生电容。由于空气的介电常数比诸如ニ氧化硅和氮化硅的传统层间介质的介电常数低，以空气为介质的交叉或重叠的金属线寄生电容较低，因此在微电子器件、电路的制造过程中，一些关键金属线交叉或者重叠处，往往采用空气作为介质，这种结构称为空气桥。目前常用金属溅射或者化学镀的方法制作空气桥。采用上述两种方法制作的空气桥本体相对较薄，因此造成成品率和可靠性较差，而且形成的导体电路本身的保护性能较弱，部分设计的金属直接暴露在空气中。 因此，需要ー种空气桥的制作方法，以解决现有技术中存在的问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一歩详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了解决现有的空气桥制作エ艺相对复杂，エ艺可控性和精...
【技术保护点】
一种空气桥立体电路的制作方法，其特征在于包括：步骤1，提供半导体衬底和形成在所述半导体衬底上的至少两个焊垫；步骤2，在所述衬底和所述焊垫表面形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光以在所述第一光刻胶层中形成第一待去除区，所述第一待去除区分别与各所述焊垫上方的区域对应；步骤3，在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，对所述第二光刻胶层曝光以在所述第二光刻胶层中形成第二待去除区，所述第二待去除区为包括对应于各所述第一待去除区上方和相邻所述第一待去除区之间的区域；步骤4，去除所述第一待去除区中的第一光刻胶层和所述第二待去除区中的所述第二光刻胶层，以形成空气桥图案；步骤5，在所述...
【技术特征摘要】
1.一种空气桥立体电路的制作方法，其特征在于包括 步骤1，提供半导体衬底和形成在所述半导体衬底上的至少两个焊垫； 步骤2，在所述衬底和所述焊垫表面形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光以在所述第一光刻胶层中形成第一待去除区，所述第一待去除区分别与各所述焊垫上方的区域对应； 步骤3，在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，对所述第二光刻胶层曝光以在所述第二光刻胶层中形成第二待去除区，所述第二待去除区为包括对应于各所述第一待去除区上方和相邻所述第一待去除区之间的区域； 步骤4，去除所述第一待去除区中的第一光刻胶层和所述第二待去除 区中的所述第二光刻胶层，以形成空气桥图案； 步骤5，在所述空气桥图案中填充金属以形成空气桥立体电路； 步骤6，去除剩余的所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层。2.如权利要求I所述的一种空气桥立体电路的制作方法，其特征在 于所述步骤I和步骤2之间还包括在所述焊垫的边缘以及所述半导体衬底上未覆盖有所述焊垫的区域形成第一 钝化层的步骤。3.如权利要求2所述的一种空气桥立体电路的制作方法，其特征在 于还包括在所述第一钝化层和所述焊垫表面上形成凸点下金属层的步骤，以及在所述步骤6中去除未覆盖在所述焊垫之上的所述凸点下金属层。4.如权利要求2所述的一种空气桥立体电路的制作方法，其特征在 于各所述第一待去除区的边缘位于覆盖在所述焊垫边缘的所述第一钝化层上。5.如权利要求I所述的一种空气桥立体电路的制作方法，其特征 在于所述步骤I与所述步骤2之间还包括清洗焊垫表面的步骤。6.如权利要求I所述的一种空气桥立体电路的制作方法，其特在 于所述第一光刻胶层采用负性光刻胶，所述第二光刻胶层采用负性光刻胶。7.如权利要求I所述的一种空气桥立体电路的制作方法，其特在 于所述第一光刻胶层采用正性光刻胶，所述第二光刻胶层采用负性光刻胶。8.如权利要求I所述的一种空气桥立体电路的制作方法，其特征在 于所述金属为铜。9.如权利要求I所...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁万春，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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