用于形成硅通孔的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于形成硅通孔的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底；对衬底进行刻蚀，以形成凹槽；在所述凹槽中填充牺牲材料层；回蚀刻所述牺牲材料层，并在所述凹槽上部沉积多晶硅层；对所述衬底的背面进行抛光，用以暴露出凹槽；剥离所述凹槽中的牺牲材料层；在凹槽中沉积金属材料层，并使其与所述多晶硅层反应形成金属硅化物；在凹槽中填充导电材料以形成所述硅通孔。根据本发明专利技术的用于形成硅通孔的方法，能够有效克服在硅通孔凹槽中填充金属材料时发生的污染，又能够在之后的工艺中防止残留不必要的材料以及克服可能在硅通孔中形成粗糙的硅化物表面的影响，并且能够提高硅通孔金属接口的性能，从而提高制造半导体器件的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造エ艺，特别涉及。
技术介绍
随着半导体集成电路制造技术的发展，芯片中所含器件的数量不断増加，器件的尺寸也因集成度的提升而不断地縮小，生产线上使用的线路宽度已进入了亚微米的范围。集成电路技术发展的驱动カ来源于对更高性能、更多功能、更小尺寸、更低功耗和成本的需求，经济的新型小尺寸3D娃通孔(TSV, Through -Silicon-Via)封装技术也由此应运而生。3D硅通孔技术是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯 片之间互连的最新技木。与以往集成电路封装键合和使用凸点的叠加技术不同，硅通孔能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，大大改善芯片速度和低功耗的性能。它也被称为继线键合(Wire Bonding)、TAB和倒装芯片(FC)之后的第四代封装技术。硅通孔封装的主要优势为具有最小的尺寸和重量，将不同种类的技术集成到单个封装中，用短的垂直互连代替长的2D互连，降低寄生效应和功耗等。然而，当采用上述エ艺过程形成硅通孔时经常出现较严重的缺陷。图I(A)-I(G)是说明使用现有技术形成硅通孔时存在缺陷的示意图，如图I(A)所示，在半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成硅通孔的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底；对所述衬底进行刻蚀，以形成凹槽；在所述凹槽中填充牺牲材料层；回蚀刻所述牺牲材料层，并在所述凹槽上部沉积多晶硅层；对所述衬底的背面进行抛光，用以暴露出凹槽；剥离所述凹槽中的牺牲材料层；在凹槽中沉积金属材料层，并使其与所述多晶硅层反应形成金属硅化物；在凹槽中填充导电材料以形成所述硅通孔。

【技术特征摘要】
1.一种用于形成硅通孔的方法，包括下列步骤 提供半导体衬底； 对所述衬底进行刻蚀，以形成凹槽； 在所述凹槽中填充牺牲材料层； 回蚀刻所述牺牲材料层，并在所述凹槽上部沉积多晶硅层； 对所述衬底的背面进行抛光，用以暴露出凹槽； 剥离所述凹槽中的牺牲材料层； 在凹槽中沉积金属材料层，并使其与所述多晶硅层反应形成金属硅化物； 在凹槽中填充导电材料以形成所述硅通孔。2.如权利要求I所述的方法，其中所述形成凹槽的步骤进一步包括在所述衬底的正面 >形成硬掩膜层，用以形成图案以对所述衬底进行蚀刻，并且在所述回蚀刻步骤之后以及所述抛光步骤之前进一步包括去除所述硬掩膜层。3.如权利要求I所述的方法，其中在所述形成凹槽的步骤完成后以及在所述填充牺牲材料层之前，进一步包括在所述凹槽的内壁上形成氧化层。4.如权利要求I所述的方法，其中在所述回蚀刻步骤之后以及在所述抛光步骤之前进一步包括对所述衬底执行前段...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凡，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：