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本发明公开了一种用于形成硅通孔的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底；对衬底进行刻蚀，以形成凹槽；在所述凹槽中填充牺牲材料层；回蚀刻所述牺牲材料层，并在所述凹槽上部沉积多晶硅层；对所述衬底的背面进行抛光，用以暴露出凹槽；剥离所述凹槽中的牺牲材...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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