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本发明涉及在种子层之上形成互连结构的半导体器件和方法。一种半导体器件具有半导体管芯，在管芯之上形成有第一导电层。在管芯之上形成第一绝缘层，第一绝缘层中的第一开口被设置在第一导电层之上。在第一绝缘层之上并进入到第一导电层之上的第一开口中形成第...
该专利属于新科金朋有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新科金朋有限公司授权不得商用。

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