制造半导体器件的方法和半导体器件技术

本发明专利技术涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。根据该方法，首先在衬底的第一面上形成孔。然后，在孔的内壁形成隔离层，并在孔中填充半导体材料，诸如多晶硅、锗、锗硅等。接下来，在衬底的第一面上形成诸如MOS管之类的功能结构。然后从衬底的与第一面相对的第二面对衬底进行减薄以露出孔中的半导体材料，并去除孔中的半导体材料，以形成贯穿衬底的通孔。在该通孔中填充导电材料，得到最终的贯穿衬底通路(TSV)，以便于不同芯片之间的电连接。本发明专利技术的方法通过用半导体材料作为在TSV中填充金属之前的TSV替代材料，可以更好地与标准工艺流程相兼容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，对半导体集成器件的封装技术提出了更高的要求。贯穿衬底通路(TSV,Through Substrate Via)技术是用于将不同芯片封装在一起的ー种新型封装技术，其通过制作贯穿衬底的、其中填充有导电材料的通路，然后将多个芯片或晶圆堆叠在一起，利用所述通路来实现芯片之间的电连接。TSV技术能够将不同功能的芯片组合在一起，増大芯片在三维方向堆叠的密度，减小集成电路(IC)的外形尺寸，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。TSVエ艺可以集成到制造エ艺的不同阶段。一种常见的方案是，在衬底上形成功能结构(例如，金属氧化物半导体(MOS)晶体管)之前开始进行TSVエ艺。例如，在形成功能结构之前，从衬底上将要形成功能结构的一侧刻蚀出孔，在孔中填充导电材料；然后在衬底上形成功能结构；在堆叠芯片或晶圆之前通过减薄衬底使该孔贯通，得到贯穿衬底并且填充有所述导电材料的通路。然而，如果TSV中填充的是金属，往往会在衬底上发生污染，从而严重影响后续エ艺。并且，填充的金属难以承受形成功能结构过程中的高温，例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底的第一面上形成孔；在所述孔的内壁形成隔离层；在所述孔中填充半导体材料；在衬底的第一面上形成功能结构；从衬底的与第一面相对的第二面对衬底进行减薄以露出所述孔中的半导体材料；去除所述半导体材料，以形成贯穿衬底的通孔；以及在所述通孔中填充导电材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：