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本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。根据该方法，首先在衬底的第一面上形成孔。然后，在孔的内壁形成隔离层，并在孔中填充半导体材料，诸如多晶硅、锗、锗硅等。接下来，在衬底的第一面上形成诸如MOS管之类的功能结构。然后从衬底的与第一面相对...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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