【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路贮存寿命评估方法，特别涉及一种利用加速寿命试验来快速，它主要应用于半导体模拟集成电路可靠性评估领域。
技术介绍
气密性封装模拟集成电路在航空、航天等对电子元器件可靠性要求高的领域有着广泛的应用，气密性封装模拟集成电路的寿命在很大程度上决定了它所应用的上级电子系统的寿命。而在实际应用中，气密性封装模拟集成电路在任务周期的多数时间是处于非工作的贮存状态的。因此，有必要对气密性封装模拟集成电路的贮存寿命进行评估。传统对气密性封装模拟集成电路的贮存寿命评估方法主要采用传统的加速寿命方法，即采用温度、湿度或者温度循环等应力作为加速条件，直接对待评估电路样品进行加速寿命试验，确定变化速率最快的电参数为器件的敏感参数，后结合相关加速退化物理模型和统计分析的方法推算出器件在正常条件下的贮存寿命，如文献1:王群勇，陈冬梅，阳辉等的中国专利技术专利“元器件长寿命评测方法”201010238799.X。利用此类传统方法来对弓丨线键合气密性封装模拟集成电路的贮存寿命进行评价，具有很大的局限性和以下问题:I)此类方法直接对元器件进行加速试验，默认器件所处环境的应...
【技术保护点】
一种评价引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在筛选合格的采用引线键合气密性封装的模拟集成电路中抽取≥600只的电路样品，给每只电路样品编号，依据产品详细规范对每只电路样品进行全参数测试，记录被测电路样品的全部电参数值，随机分为≥13组；（2）取其中一组电路样品，测试电路样品封装内部的水汽含量，计算出电路样品封装内部的相对湿度，再计算出此组电路样品封装内部相对湿度的平均值，以此封装内部相对湿度平均值作为实际贮存条件下气密性封装模拟集成电路封装内部相对湿度值；（3）将完成步骤（2）之后的电路样品开盖，测试电路样品内部连接芯片的键合丝键合...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗俊，李晓红，许斌，邓永芳，刘凡，秦国林，徐学良，胡波，王健安，陈光炳，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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