通过注入降低结漏制造技术

本发明专利技术提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成第一III-V族层。第一III-V族层包括具有第一表面形态的表面。该方法包括穿过表面对第一III-V族层实施离子注入工艺。离子注入工艺将第一表面形态改变为第二表面形态。在实施离子注入工艺之后，该方法包括在第一III-V族层上方形成第二III-V族层。第二III-V族层的材料成分与第一III-V族层的材料成分不同。本发明专利技术还提供了通过注入降低结漏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及制造半导体器件的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。IC材料和设计中的技术进步产生出了一代又一代1C，每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。然而，这些改进同时还增加了处理和制造IC的复杂程度，对于这些即将实现的改进，需要在IC处理和制造中进行类似的改进。在集成电路的发展期间，随着几何尺寸(即，利用制造工艺可以形成的最小元件(或者线))的减小，功能密度(即，单位芯片面积的互连器件的数量)通常会增大。制造一些类型的IC可能需要在衬底上形成II1-V族层。这些类型的IC器件可以包括，例如，发光二极管(LED)器件、射频(RF)器件、以及大功率半导体器件。然而，现有的利用πι-v族层形成半导体器件的方法可能会产生不同带隙材料的位错或者缺陷，这样可能会导致器件性能缺陷，比如应变松弛、膜生长不完全、以及结性质较差。因此，尽管形成II1-V族层的现有方法通常能够达到其预期目的，但是这些现有方法无法在各个方面都完全令人满意。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种制造半导体器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一III?V族层，所述第一III?V族层包括具有第一表面形态的表面；穿过所述表面对所述第一III?V族层实施离子注入工艺，所述离子注入工艺将所述第一表面形态改变为第二表面形态；以及在实施所述离子注入工艺之后，在所述第一III?V族层上方形成第二III?V族层，其中，所述第二III?V族层的材料成分与所述第一III?V族层的材料成分不同。

【技术特征摘要】
2011.10.14 US 13/273,4631.一种制造半导体器件的方法，包括 在衬底上方形成第一 II1-V族层，所述第一 II1-V族层包括具有第一表面形态的表面； 穿过所述表面对所述第一 II1-V族层实施离子注入工艺，所述离子注入工艺将所述第一表面形态改变为第二表面形态；以及 在实施所述离子注入工艺之后，在所述第一 II1-V族层上方形成第二 II1-V族层，其中，所述第二 II1-V族层的材料成分与所述第一 II1-V族层的材料成分不同。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二表面形态比所述第一表面形态更平滑并且更平坦。3.根据权利要求1所述的方法，还包括在实施所述离子注入工艺之后并且在形成所述第二 II1-V族层之前，对所述第一 II1-V族层实施热工艺。4.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述第二II1-V族层之后，以所述晶体管器件至少部分地形成在所述第二 II1-V族层中的方式形成晶体管器件。5.根据权利要求4所述的方法，其中，以所述晶体管器件包括形成在所述第二II1-V族层中的导电沟道的方式实施形成所述晶体管器件。6.根据权利要求1所述的方法，其中，以多个掺杂剂离子被注入到所述第一II1-V族层的方式实施所述离子注入工艺，并且其中，所述掺杂剂离子包括选自由氩、碳、氮、和氟所构成的组的材料。7.根据权利要求6所述的方法，其中，以多个掺杂剂离子被注入到直接处于所述第一II1-V族层...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂俊峰，喻中一，林宏达，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：