一种电力半导体芯片台面处理方法技术

技术编号:8563847 阅读:221 留言:0更新日期:2013-04-11 05:46
本发明专利技术涉及一种电力半导体芯片台面处理方法,包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理,其特征是:腐蚀处理时,所述芯片整齐重叠成柱状,并横置于有相应凹槽的耐腐蚀篮中,然后将该芯片和耐腐蚀篮一起放入盛有腐蚀液的耐腐蚀盘内,所述腐蚀液面高出芯片顶边1-2厘米,耐腐蚀盘放置在超声波清洗器的工作槽中,工作槽中盛有2-3厘米深度清水,腐蚀处理时间为40-55秒;清洗处理时,将耐腐蚀篮和芯片一起取出,然后按常规使用清水将芯片清洗干净;烘干处理时,将清洗干净后的芯片水平摆放后按常规烘干。本发明专利技术处理效率高,效果好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电力半导体器件生产方法,特别是。
技术介绍
电力半导体器件的一道重要加工工序是台面处理,就是PN结的终端处理。其目的是将磨角后的芯片台面通过化学腐蚀的方法进行清洗,去除台面的氧化层和表面污染物,形成清洁光洁无污染的台面表面,防止导电和电场打火。其传统的处理方法有两种一种是采用腐蚀机器进行腐蚀,方法是将芯片放在旋转的工件台上,然后将腐蚀液喷在芯片台面上,一定时间后,在台面上喷清水清洗,最后烘干。此方法每次只能腐蚀一只芯片,效率较低,而且腐蚀液使用量大,酸性废水多,对环境有较大影响,适合于大直径的大功率器件。另一种方法是将芯片水平排放在圆形塑料盘底部,不重叠,然后倒入腐蚀液对芯片台面进行腐蚀,一定时间后冲水清洗干净,再根据腐蚀情况重复腐蚀,最后清洗、烘干。此方法效率稍高,适用于中小功率芯片的处理,但掌握难度大,且腐蚀液只能使用一次,酸性废水多,对环境影响大。
技术实现思路
本专利技术针对上述传统处理方法存在的问题,新提供,使其处理效率高,效果好。本专利技术所述的,包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理,其特征是腐蚀处理时,所述芯片整齐重叠成柱状,并横置于有相应凹槽的耐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电力半导体芯片台面处理方法,包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理,其特征是:腐蚀处理时,所述芯片整齐重叠成柱状,并横置于有相应凹槽的耐腐蚀篮中,然后将该芯片和耐腐蚀篮一起放入盛有腐蚀液的耐腐蚀盘内,所述腐蚀液面高出芯片顶边1?2厘米,耐腐蚀盘放置在超声波清洗器的工作槽中,工作槽中盛有2?3厘米深度清水,腐蚀处理时间为40?55秒;清洗处理时,将耐腐蚀篮和芯片一起取出,然后按常规使用清水将芯片清洗干净;烘干处理时,将清洗干净后的芯片水平摆放后按常规烘干。

【技术特征摘要】
1.一种电力半导体芯片台面处理方法,包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理,其特征是腐蚀处理时,所述芯片整齐重叠成柱状,并横置于有相应凹槽的耐腐蚀篮中,然后将该芯片和耐腐蚀篮一起放入盛有腐蚀液的耐腐蚀盘内,所述腐蚀液面高出芯片顶边1-2厘米,耐腐蚀盘放置在超声波清洗器的工作槽中,工作槽中盛有2-3厘米深度清水,腐蚀处理时间为40-55秒;清洗处理时,将耐腐蚀篮和芯片一起取出,然后按常规使用清水将芯片清洗干净;烘干处理时,将清洗干净后的芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员:项卫光徐伟李有康李晓明
申请(专利权)人:浙江正邦电力电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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