晶闸管芯片的双正角台面成形方法技术

晶闸管芯片的双正角台面成形方法，包括如下步骤：第一，选用并处理砂轮刀片：使得该砂轮刀片的形状与所述晶闸管芯片要求成形的双正角台面形状相对应；第二，调整相对位置：使所述砂轮刀片对准所述晶闸管芯片的硅片侧面的中心处；第三，设定转速参数；第四，台面成形。本发明专利技术的晶闸管芯片台面成形采用了砂轮切割工艺，使得晶闸管芯片台面的正角角度能够得到精确控制，从而生产出的产品电压性能优越。经过检测，本发明专利技术的芯片阻断电压高，能够达到7500V，正反向漏电流小，并且产品的一致性良好。此外，通过本发明专利技术成形方法获得的晶闸管芯片结构简单，成本低廉，便于大规模生产，生产效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶闸管芯片加工方法，具体地，涉及一种。
技术介绍
一般而言，5200V-7500V的压接式高压晶闸管芯片的台面需要成形为适当的形状， 目前，压接式高压晶闸管芯片的台面的设计形式主要有三种形式正负角、双正角和双负角。而市场上主要是双正角和双负角，双负角是用金刚砂研磨的方法得到，而双正角是采用喷砂的办法形成，双负角的设计牺牲了管芯的阴极有效面积，硅片利用率低，芯片成本高， 浪费能源，双正角的设计提高了硅片利用率，但喷砂成型的办法存在一个缺点，就是台面正角的角度不能精确控制。因此，有必要设计能精确控制正角角度的台面成形方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，以克服现有技术的上述缺陷，使得所述晶闸管芯片的双正角台面的正角角度能够得到精确控制。上述目的通过如下技术方案实现，包括如下步骤第一，选用并处理砂轮刀片使得该砂轮刀片的形状与所述晶闸管芯片要求成形的双正角台面形状相对应，并在所述砂轮刀片上电镀金刚砂；第二，调整相对位置通过显微镜系统，调整好所述晶闸管芯片与所述砂轮刀片的相对位置，使所述砂轮刀片对准所述晶闸管芯片的硅片侧面的中心处；第三，设定转速参数设定所述晶闸管芯片的转速为 400-1000转/分，所述砂轮刀片的转速为600-800转/分，并使得所述晶闸管芯片的旋转方向与所述砂轮刀片的旋转方向相反；第四，台面成形使得所述砂轮刀片以20-50 μ m/s的速度向所述晶闸管芯片的硅片侧面移动，以在所述硅片侧面获得所需角度的双正角台面形状。进一步地，在台面成形步骤后，通过化学腐蚀和清洗烘干，在所述台面上涂敷聚酰亚胺并通过模具压制硅橡胶。通过本专利技术的上述技术方案，由于本专利技术的晶闸管芯片台面采用了砂轮切割工艺，使得晶闸管芯片台面的正角角度能够得到精确控制，从而生产出的产品电压性能优越。 经过检测，本专利技术的芯片阻断电压高，能够达到7500V，正反向漏电流小，并且产品的一致性良好。此外，通过本专利技术成形方法获得的晶闸管芯片结构简单，成本低廉，便于大规模生产， 生产效率高。附图说明图1是通过本专利技术的双正角台面成形方法加工的晶闸管芯片的剖视结构示意图。图中1台面；2正角部位；3有机膜。具体实施例方式以下结合附图描述本专利技术的具体实施方式。本专利技术的主要包括如下步骤第一，选用并处理砂轮刀片使得该砂轮刀片的形状与所述晶闸管芯片要求成形的双正角台面形状相对应，并在所述砂轮刀片上电镀金刚砂；第二，调整相对位置通过显微镜系统，调整好所述晶闸管芯片与所述砂轮刀片的相对位置，使所述砂轮刀片对准所述晶闸管芯片的硅片侧面的中心处；第三，设定转速参数设定所述晶闸管芯片的转速为400-1000转/分(RPM)，所述砂轮刀片的转速为600-800转/分(RPM)，并使得所述晶闸管芯片的旋转方向与所述砂轮刀片的旋转方向相反；第四，台面成形使得所述砂轮刀片以20-50 μ m/s的速度向所述晶闸管芯片的硅片侧面移动，从而在所述硅片侧面获得所需角度的双正角台面形状。优选地，在台面1形成后，经过化学腐蚀和清洗烘干，在所述台面上涂敷聚酰亚胺并通过模具压制有机膜3，例如硅橡胶。图1显示通过本专利技术的双正角台面成形方法加工的晶闸管芯片，该晶闸管芯片与通常的晶闸管芯片类似，包括依次层叠阳极、长基区和短基区，其中，该晶闸管芯片的台面位于芯片的侧面边缘。该晶闸管芯片采用的原始硅片可以为NTD硅单晶，其电阻率为 300-600 Ω cm，厚度为1050-1450 μ m，所述长基区的厚度为750-1150 μ m。在图1中，所述晶闸管芯片的台面为V字形(通过与该V字形相对应的V形截面砂轮刀片进行切割)，正角角度为40-50度，例如图1中正角部位2为45度，侧面上下留厚0. 08-0. 1mm，深度为 0. 45-0. 6mm,台面交汇处为弧形。当然，晶闸管芯片的台面也可以为其它形状，而不限于上述形状和参数。此外，对于本领域技术人员是熟知的，台面2主要是对晶闸管芯片起到保护作用。此外，本专利技术的台面成形方法主要涉及到台面造型工艺，对于晶闸管芯片制造过程还包括其它工艺，例如铝镓扩散、短基区腐蚀、磷扩散、光刻、短路点腐蚀、激光割元、蒸发、二次光刻、台面钝化、测试等，这对于本领域技术人员而言显然是公知的。由上描述可以看出，由于本专利技术的晶闸管芯片台面采用了砂轮切割工艺，使得晶闸管芯片台面的正角角度能够得到精确控制，从而生产出的产品电压性能优越。经过检测， 本专利技术的芯片阻断电压高，能够达到7500V，正反向漏电流小，并且产品的一致性良好。此外，通过本专利技术成形方法获得的晶闸管芯片结构简单，成本低廉，便于大规模生产，生产效率高，更重要的是，由于本专利技术的晶闸管芯片的台面采用砂轮法成型工艺，其电压高，可达到7500V，漏电流小，并且产品的一致性良好，产品性能优越。在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，可以通过任何合适的方式进行任意组合，其同样落入本专利技术所公开的范围之内。同时，本专利技术的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本专利技术的思想，其同样应当视为本专利技术所公开的内容。此外，本专利技术并不限于上述实施方式中的具体细节，在本专利技术的技术构思范围内，可以对本专利技术的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本专利技术的保护范围。本专利技术的保护范围由权利要求限定。权利要求1.，其特征是，包括如下步骤第一，选用并处理砂轮刀片使得该砂轮刀片的形状与所述晶闸管芯片要求成形的双正角台面形状相对应，并在所述砂轮刀片上电镀金刚砂；第二，调整相对位置通过显微镜系统，调整好所述晶闸管芯片与所述砂轮刀片的相对位置，使所述砂轮刀片对准所述晶闸管芯片的硅片侧面的中心处；第三，设定转速参数设定所述晶闸管芯片的转速为400-1000转/分，所述砂轮刀片的转速为600-800转/分，并使得所述晶闸管芯片的旋转方向与所述砂轮刀片的旋转方向相反；第四，台面成形使得所述砂轮刀片以20-50 μ m/s的速度向所述晶闸管芯片的硅片侧面移动，以在所述硅片侧面获得所需角度的双正角台面形状。2.根据权利要求1所述的，其特征是，在台面成形步骤后，通过化学腐蚀和清洗烘干，在所述台面上涂敷聚酰亚胺并通过模具压制硅橡胶。全文摘要，包括如下步骤第一，选用并处理砂轮刀片使得该砂轮刀片的形状与所述晶闸管芯片要求成形的双正角台面形状相对应；第二，调整相对位置使所述砂轮刀片对准所述晶闸管芯片的硅片侧面的中心处；第三，设定转速参数；第四，台面成形。本专利技术的晶闸管芯片台面成形采用了砂轮切割工艺，使得晶闸管芯片台面的正角角度能够得到精确控制，从而生产出的产品电压性能优越。经过检测，本专利技术的芯片阻断电压高，能够达到7500V，正反向漏电流小，并且产品的一致性良好。此外，通过本专利技术成形方法获得的晶闸管芯片结构简单，成本低廉，便于大规模生产，生产效率高。文档编号B24B19/22GK102201340SQ20111012315公开日2011年9月28日 申请日期2011年5月13日 优先权日2011年5月13日专利技术者徐爱民, 顾标琴, 高占成 申请人:润奥电子(扬州)制造有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．晶闸管芯片的双正角台面成形方法，其特征是，包括如下步骤：第一，选用并处理砂轮刀片：使得该砂轮刀片的形状与所述晶闸管芯片要求成形的双正角台面形状相对应，并在所述砂轮刀片上电镀金刚砂；第二，调整相对位置：通过显微镜系统，调整好所述晶闸管芯片与所述砂轮刀片的相对位置，使所述砂轮刀片对准所述晶闸管芯片的硅片侧面的中心处；第三，设定转速参数：设定所述晶闸管芯片的转速为４００－１０００转／分，所述砂轮刀片的转速为６００－８００转／分，并使得所述晶闸管芯片的旋转方向与所述砂轮刀片的旋转方向相反；第四，台面成形：使得所述砂轮刀片以２０－５０μｍ／ｓ的速度向所述晶闸管芯片的硅片侧面移动，以在所述硅片侧面获得所需角度的双正角台面形状。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高占成，徐爱民，顾标琴，
申请(专利权)人：润奥电子扬州制造有限公司，
类型：发明
国别省市：32