晶闸管芯片的双正角台面成形方法技术

晶闸管芯片的双正角台面成形方法，包括如下步骤：第一，选用并处理砂轮刀片：使得该砂轮刀片的形状与所述晶闸管芯片要求成形的双正角台面形状相对应；第二，调整相对位置：使所述砂轮刀片对准所述晶闸管芯片的硅片侧面的中心处；第三，设定转速参数；第四，台面成形。本发明专利技术的晶闸管芯片台面成形采用了砂轮切割工艺，使得晶闸管芯片台面的正角角度能够得到精确控制，从而生产出的产品电压性能优越。经过检测，本发明专利技术的芯片阻断电压高，能够达到7500V，正反向漏电流小，并且产品的一致性良好。此外，通过本发明专利技术成形方法获得的晶闸管芯片结构简单，成本低廉，便于大规模生产，生产效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶闸管芯片加工方法，具体地，涉及一种。
技术介绍
一般而言，5200V-7500V的压接式高压晶闸管芯片的台面需要成形为适当的形状， 目前，压接式高压晶闸管芯片的台面的设计形式主要有三种形式正负角、双正角和双负角。而市场上主要是双正角和双负角，双负角是用金刚砂研磨的方法得到，而双正角是采用喷砂的办法形成，双负角的设计牺牲了管芯的阴极有效面积，硅片利用率低，芯片成本高， 浪费能源，双正角的设计提高了硅片利用率，但喷砂成型的办法存在一个缺点，就是台面正角的角度不能精确控制。因此，有必要设计能精确控制正角角度的台面成形方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，以克服现有技术的上述缺陷，使得所述晶闸管芯片的双正角台面的正角角度能够得到精确控制。上述目的通过如下技术方案实现，包括如下步骤第一，选用并处理砂轮刀片使得该砂轮刀片的形状与所述晶闸管芯片要求成形的双正角台面形状相对应，并在所述砂轮刀片上电镀金刚砂；第二，调整相对位置通过显微镜系统，调整好所述晶闸管芯片与所述砂轮刀片的相对位置，使所述砂轮刀片对准所述晶闸管芯片的硅片侧面的中心处；第三，设定转速参数设定所述晶闸管本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．晶闸管芯片的双正角台面成形方法，其特征是，包括如下步骤：第一，选用并处理砂轮刀片：使得该砂轮刀片的形状与所述晶闸管芯片要求成形的双正角台面形状相对应，并在所述砂轮刀片上电镀金刚砂；第二，调整相对位置：通过显微镜系统，调整好所述晶闸管芯片与所述砂轮刀片的相对位置，使所述砂轮刀片对准所述晶闸管芯片的硅片侧面的中心处；第三，设定转速参数：设定所述晶闸管芯片的转速为４００－１０００转／分，所述砂轮刀片的转速为６００－８００转／分，并使得所述晶闸管芯片的旋转方向与所述砂轮刀片的旋转方向相反；第四，台面成形：使得所述砂轮刀片以２０－５０μｍ／ｓ的速度向所述晶闸管芯片的硅片侧面移动，以在所述硅片侧面获得...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高占成，徐爱民，顾标琴，
申请(专利权)人：润奥电子扬州制造有限公司，
类型：发明
国别省市：32