【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅电力电子器件钼片镀镍方法，其特征是：所述钼片放入滚筒内一起浸入镀液中滚镀，镀液中含硫酸镍250g/L?、氯化镍50g/L、硼酸45g/L和硫酸镁20g/L；镀液温度为40?55℃，PH值为8?9，滚筒转速10?15转/分，电镀电源阳极与电镀的金属镍板连接，阳极电流80?90A，阴极引入滚筒内与钼片接触，电镀时间40?60分钟；钼片一次镀镍后倒出滚筒用清水清洗干净，然后烘干按常规放进通氢炉合金，退火后按上述方法重复进行第二次镀镍，再倒出钼片清洗、烘干完成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：项卫光，朱泽鑫，徐伟，李有康，李晓明，
申请(专利权)人：浙江正邦电力电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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